怎么判断芯片能不能驱动MOS管呢

假设驱动IC输出方波电压幅值为U，MOS管栅源级间输入电容为Cgs，则每周期栅极输入电荷量q=U*Cgs。

如果驱动信号频率为f，则每秒钟累计输入到栅极的电荷量Q=f*q=f*U*Cgs，则驱动电流I=Q/t=Q/1秒=f*U*Cgs。

以U=12V、f=50kHz、Cgs=1000pF为例，驱动电流I=f*U*Cgs=0.0006A=0.6mA。当然，这仅仅是理论值，驱动IC输出级输出电流最好要比这个大若干倍。因为，还要考虑驱动IC的输出级内阻必须足够小，否则Cgs充电时间常数太大会导致其开关特性变差。

我用CMOS型的7555时基IC驱动Cgs=1000pF的8N60管子，7555供电电压15V，理论计算驱动电流为0.9mA，实测情况是：不接8N60，7555工作电流为0.6mA，接上8N60后7555的工作电流正好是1.5mA，说明理论计算非常符合。

可以看看MOS管芯片的资料，看看他的导通压降是多少

电流的定义：流过导体横截面的电荷量与所用时间的比值，数值上等于单位时间内流过导体横截面的电荷量。1安培=1库伦/秒。

实际上是这样计算的：一个方波周期内输入MOS管栅极的电荷量 q=U*Cgs，因此电流 I=q/T=q*f=f*U*Cgs，注意 T=1/f。

一般驱动IC的输出级都是图腾柱式的，既可以向后级灌电流也可以吸电流。此时，只要在输出级和MOS管栅极间加上一个小阻值电阻（10~100Ω）即可，据说是为了抑制寄生振荡，不加也行。这个电阻不要太大，否则栅源极输入电容充电时，这个电阻会导致充电时间过长，导致开关管栅极驱动波形上升沿不够陡峭，开关特性变差开关损耗剧增（高频情况下）。至于下拉电阻，在驱动输出级不受损、驱动能力不受影响的情况下，越小越好。

如果驱动级内阻过大、输出电流太小，应该外接图腾柱扩流增强对MOS管的驱动能力改善开关特性。