关于场效应管的放电电阻接法，求教

我觉得B的接法更合理，也最常用，符合GS电阻应该尽可能靠近管脚的原则

栅极放电电阻在两边MOS管打开时都时不起作用的，起作用的是在死区时，也就是两管都关闭时能防止管子误导通。所以理论上两种接发作用都一样。

但是实际测量发现图B接法温度低10度左右，所以有点奇怪

估计是受到干扰了...

如果在0.02R这个电阻的分布电感上有很高的毛刺就会影响死区放电了。

这个怎么测试出来，或者如何改善？

图A，0.02R过流采样电阻两端会有电压脉动，虽然非常小，相当于和电源等频率的小脉动信号，是会调制干扰下拉电阻R23R25回路，造成泄放回路脉动震荡。图B跳过干扰源，就避免这一现象的产生。

并管MOS结电容加倍，需要更强劲的推拉电流实现对MOS快速驱动，可以考虑对驱动信号放大，如图腾柱，驱动芯片。

另外并管不可共享栅极驱动电阻R21R22，也不可共享下拉电阻R23R24，各管必须各自有独立栅极驱动电阻和下拉电阻。