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反激电源宽电压输入时最大占空比问题

在宽电压ac85-265输入时,Dmax=VOR/Kp*(Vmin-Vds)+VOR。目前的MOS技术Vor可取110V(老资料上写80V),DCM下KP=1。

Dmax=110/(84-12)+110=60.4%.

1.D>0.5时,需要什么样的芯片才能稳定工作?

2.或者普通芯片(3842?)加上斜坡补偿后是否可稳定使用?

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lysgdjp
LV.3
2
2018-05-02 18:10
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saltpig
LV.1
3
2018-05-02 23:01

可以先定占空比啊,不让占空比超过0.5。uc3842的datasheet给的有实例占空比0.628,CCM,要加斜坡补偿

http://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/slus223e/slus223e.pdf

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2018-05-03 11:07

反激计算中,直接就按Dmax=0.45

实测中,Duty也就30%左右

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2018-05-03 11:55
@edie87@163.com
反激计算中,直接就按Dmax=0.45实测中,Duty也就30%左右

确实是这样,但CCM模式下,占空比会达到0.6左右,所以在设计ccm的时候,占空比也定0.45,实测会达到0.6吗?

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2018-05-03 22:47

以反激的结构与计算 Vi*ton/(1-ton)(Vo+Vf)占空比是可以大于0.5, 不过那只限于DC/DC, 而你使用于AC/DC, 因为受限于储能电容,还是乖乖的以0.45为基准就好,原因为:

当什计占空比超过0.5时,表示变压器储存了大于0.5的能量,而只用小于0.5的时间进行释放,那么在MOS端就必需承受很大的电流硬力,且最大占空比出现在最小输入电压时,所以除非你能使用非常大的储能电容,否则涟波必然㑹相当大,而当涟波加大时,占空比㑹随涟波的波峰与波谷晃动更激烈,这就是无法稳定的原因,所以没事占空比做那么大干嘛?

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2018-05-04 11:22
@juntion
以反激的结构与计算Vi*ton/(1-ton)(Vo+Vf)占空比是可以大于0.5,不过那只限于DC/DC,而你使用于AC/DC,因为受限于储能电容,还是乖乖的以0.45为基准就好,原因为:当什计占空比超过0.5时,表示变压器储存了大于0.5的能量,而只用小于0.5的时间进行释放,那么在MOS端就必需承受很大的电流硬力,且最大占空比出现在最小输入电压时,所以除非你能使用非常大的储能电容,否则涟波必然㑹相当大,而当涟波加大时,占空比㑹随涟波的波峰与波谷晃动更激烈,这就是无法稳定的原因,所以没事占空比做那么大干嘛?

受教受教,非常感谢。

占空比问题一直比较迷,以前看到有人占空比能做到0.6。好处好像是整流管电压下降,效率高。缺点好像就是您说的磁复位和MOS应力问题。实际中,简单的确实应该以0.45为基准。

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