海飞乐IGBT专注高可靠性功率芯片研发， 利用具有自主知识产权的创新结构打破国外技 术垄断，以期实现中国功率芯片弯道超车。结 合国内芯片工艺水准，融合 IGBT 和 MCT 的 优势，在国际上首创一种高可靠性功率器件 MCKT，有望在新能源以及高压直流输电领域 发挥其特有的价值。
集合 MCT 与 IGBT 优点于一身的 MCKT MCT：MOS 控制 + 晶闸管导电由 V.A.K. Temple 于 1984 年提出，MCT 在提 出之时曾被喻为最理想的功率半导体器件！然 而在产品化过程中人们发现，电流集中导致 MCT 仅有极小的安全工作区(SOA)，严重限制 了 MCT 在大电流关断时的可靠性！海飞乐MCKT 对比传统 IGBT 的优势
新一代功率器件 MCKT 相比传统 IGBT，拥有更低的 Von，使器件工作时的导通损耗更低。
新型 MCKT 器件拥有“方形”反偏安全工作区（RBSOA）,并且能承受比 IGBT 更高的反偏可关断电流,（普通 IGBT 一般能安全关断不超过额定电流 2 倍的单次脉冲电流，而 MCKT 可以安全关断高达 6 倍以上额定电流的单次脉冲电流）
新型 MCKT 拥有坚固的抗短路电流能力，适用于硬启动、高浪涌电流电机驱动电路，有 助于改善电机驱动器的可靠性，提高电机驱动器的耐用性。特别适用于新能源汽车驱动领域。
不稳定的功率、AC 线路浪涌和系统故障均会引起雪崩情况，导致器件瞬间失效，MCKT专门针对雪崩耐量（坚固性）进行优化，具有极佳的抗雪崩能力，确保在雪崩模式情况 下器件不失效。 新一代结构器件，从器件结构入手，彻底解决 IGBT 的动态闩锁问题，大大提高器件可靠 性，提高器件的电流密度。特别适用于大功率电机传动、机车牵引、高压直流输电领域。
MCKT 功率器件有较低的 dv/dt，以及较小的寄生电感，可以有效降低高速开关应用领域由于器件而引起的震荡，特别适用于各类硬开关和感性负载电路，有较高的可靠性及低 损耗特性。 MCKT 结合高温全铜封装以及银烧结等封装技术，可以使结温提高至 200 摄氏度，使器 件的可靠性及电流密度都大大提高，目前普通 IGBT 的最高结温为 175 摄氏度。
MCKT 针对国内当前工艺水平量身设计，贴合目前国内生产工艺水平现状，拥有较高的 一致性，器件为正温度系数，易于并联使用。
新的结构，有效降低开关损耗，支持更高频率下运行而不增加导通损耗。
