各位大神，有个问题请教。反激电源，三相220V输入，相当于直流540V，MOS管1000V耐压，启机尖峰830V，正常工作也就700V多。实验时出现一台故障机，主MOS管损坏栅漏源短路，研磨开壳分析，图片见下图，除了击穿痕迹还有一条裂纹。我想请问一下，是MOS管先损坏发热的热应力导致晶元开裂，还是先晶元开裂导致漏源击穿。询问两个MOS管厂家给了两个不同的结论，一个说是雪崩击穿后典型的热应力导致晶元开裂，一个说这种小面积的损坏点不会导致晶元贯通式的开裂，倾向于先是机械应力导致晶元开裂之后耐压击穿。注意裂纹处有两个以上的坏点，先击穿后开裂能否出现这种情况。
请各位看看，能否给出结论。
