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求助MOS管损坏原因

各位大神,有个问题请教。反激电源,三相220V输入,相当于直流540V,MOS管1000V耐压,启机尖峰830V,正常工作也就700V多。实验时出现一台故障机,主MOS管损坏栅漏源短路,研磨开壳分析,图片见下图,除了击穿痕迹还有一条裂纹。我想请问一下,是MOS管先损坏发热的热应力导致晶元开裂,还是先晶元开裂导致漏源击穿。询问两个MOS管厂家给了两个不同的结论,一个说是雪崩击穿后典型的热应力导致晶元开裂,一个说这种小面积的损坏点不会导致晶元贯通式的开裂,倾向于先是机械应力导致晶元开裂之后耐压击穿。注意裂纹处有两个以上的坏点,先击穿后开裂能否出现这种情况。

请各位看看,能否给出结论。

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jianyedin
LV.9
2
2018-08-30 13:51
这是贴片的,哪来的外应力呢?
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hylylx
LV.9
3
2018-08-30 15:37
这就触及到我的知识盲区了,不过个人感觉应该是热应力造成的。
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2018-08-31 14:47
@hylylx
这就触及到我的知识盲区了,不过个人感觉应该是热应力造成的。
可以先是热嘛,  下面的金属变型导致裂开突然击穿,光凭想象哈
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hylylx
LV.9
5
2018-08-31 15:20
@zww15281877925
可以先是热嘛, 下面的金属变型导致裂开突然击穿,光凭想象哈[图片]
不知道你在表达什么,不过凭感觉应该是对我的观点表示不认同的可能性大一些。
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gxxdyw
LV.2
6
2018-08-31 16:49
这个是大电流使芯片受热不均匀导致陶瓷基板开裂,引起漏--栅击穿,最终使栅源击穿。图中的黑点是开裂后放电形成的。
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2018-09-01 10:44

很像是过流烧坏

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