MOS管失效6大原因之栅电压失效分析

栅极电压失效

栅极的异常高压来源主要有以下3种原因：

1：在生产、运输、装配过程中的静电。

2：由器件及电路寄生参数在电源系统工作时产生的高压谐振。

3：在高压冲击时，高电压通过Ggd传输到栅极（在雷击测试时，这种原因导致的失效较为常见）。

至于PCB污染等级、电气间隙及其它高压击穿IC后进入栅极等现象就不做过多解释。

栅极电压失效的预防措施:

栅源间的过电压保护：如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲，这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管。特别要注意防止栅极开路工作。其次是漏极间的过电压防护。如果电路中有电感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变(di/dt)会产生比电源电压高的多的漏极电压过冲，导致器件损坏。应采取稳压管箝位，RC箝位或RC抑制电路等保护措施。