CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来；检验封装的良率。
现在对于一般的wafer工艺，很多公司多把CP给省了；减少成本。
CP对整片Wafer的每个Die来测试，而FT则对封装好的Chip来测试。
CP Pass 才会去封装。然后FT，确保封装后也Pass。
WAT是Wafer AcceptanceTest，对专门的测试图形（test key）的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定；
CP是wafer level的chip probing，是整个wafer工艺，包括backgrinding和backmetal（if need），对一些基本器件参数的测试，如vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和功率不会很高；
FT是packaged chip level的Final Test，主要是对于这个（CPpassed）IC或Device芯片应用方面的测试，有些甚至是待机测试；
Pass FP还不够，还需要做process qual 和product qual
CP 测试对Memory来说还有一个非常重要的作用，那就是通过MRA计算出chip level的Repair address，通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die 修补回来，这样保证了yield和reliability两方面的提升。
CP是对wafer进行测试，检查fab厂制造的工艺水平；FT是对package进行测试，检查封装厂制造的工艺水平。
对于测试项来说，有些测试项在CP时会进行测试，在FT时就不用再次进行测试了，节省了FT测试时间；但是有些测试项必须在FT时才进行测试（不同的设计公司会有不同的要求）
一般来说，CP测试的项目比较多，比较全；FT测的项目比较少，但都是关键项目，条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封装yield高的话，CP就失去意义了）。
在测试方面，CP比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点，memory测试的CP会更难，因为要做redundancy analysis，写程序很麻烦。
