HYD25050 是一款可驱动高端和低端 N 沟道MOSFET 的高压栅极驱动芯片,可用于同步降压和半桥拓扑中。高端悬浮电压的工作电压可以高达 60V,最高工作频率可以达 1MHz。
电源电压工作范围为6V~15V
悬浮电压最高60V
输出电流能力:+5A/-5A
电源电压和悬浮电压欠压关断功能
闭锁功能,防止上、下输出管同时导通
内建死区控制电路且死区时间可调
Tr / Tf: 10nS/10nS(1nF)
使能控制功能 高端输出与输入同相,低端输出与输入反相
HYD32525是一款可驱动高端和低端 N 沟道MOSFET 的高压栅极驱动芯片,可用于同步降压和半桥拓扑中。 高端悬浮电压的工作电压可以高达 120V,最高工作频率可以达 200KHz。
电源电压工作范围为7.5V~18V
悬浮电压最高120V
输出电流能力: +2.5A/-2.5A
兼容3.3V、 5V逻辑输入
内建死区控制电路
Tr / Tf: 20nS/20nS(1nF)
高端输出与高端输入同相
低端输出与低端输入反相
怎么联系你啊,】
现在又个项目正好用这个