一个基础问题，为什么衡量导通损耗，MOS管是导通电阻，而IGBT是导通压降？

从问题可以看出来你没学好模拟或没学过模拟

MOS管可以看成一个压控电阻，在放大区的时候RDS和VGS成线性关系，超出放大区的时候MOS完全导通，此时在MOS上的损耗=I^2*Rds，RDS此时基本是不变的，可以看成是一个常量，所以他的斜率就是RDS.

而三极管是非线性元件，饱和导通的时候VCE压降与ICE电流无关，所以三极管上的损耗=ICE*VCE，VCE在驱动电流超过一定值时也是基本不变的，也可以看成一个常量，所以你懂的。

IGBT属于三极管和MOS管的结合的一个元件，用电压驱动，但VCE与三极管的是一样的，所以它的损耗=ICE*VCE，与三极管的计算是一样的

从图像来说，在固定某个驱动电压值时，IGBT的伏安特性的线性度要比MOS管好啊。为何指标上不规定某几个常用驱动电压时的等效导通电阻呢？而且从图像上看，MOS管也存在类似IGBT饱和区的恒流区

VCE在驱动电流超过一定值时也是基本不变的，也可以看成一个常量

这句不对吧？

当三极管饱和后，进入的是恒流区域，栅极驱动电流与集电极电流无关，集电极电流也与集电极-发射极电压无关，恒定的是集电极电流，而不是集电极-发射极电压即饱和压降吧？