我们用的是裸片，在高倍显微镜下可以看到芯片有烧过的痕迹。

元器件没有变化。波形在低压的时候也没有问题。昨天仔细观察了一下，2110芯片（裸芯片）低端驱动图腾柱的一个晶体管上有不少元胞被烧掉了。就是红圈中的那个管子。所有坏掉的产品都有这个现象，都是这个管子烧掉。而高端的两个管子却都没有问题。怎么会就烧这个管子呢？是我的栅极电阻选太小，半桥下管因为米勒效应瞬间回灌一个大电流？但那样也应该烧红圈下面那个图腾柱管子啊。[图片]

VCE在驱动电流超过一定值时也是基本不变的，也可以看成一个常量这句不对吧？当三极管饱和后，进入的是恒流区域，栅极驱动电流与集电极电流无关，集电极电流也与集电极-发射极电压无关，恒定的是集电极电流，而不是集电极-发射极电压即饱和压降吧？

[图片][图片]从图像来说，在固定某个驱动电压值时，IGBT的伏安特性的线性度要比MOS管好啊。为何指标上不规定某几个常用驱动电压时的等效导通电阻呢？而且从图像上看，MOS管也存在类似IGBT饱和区的恒流区

没必要那么复杂，直接把MOS管当一个二极管来测就可以了。MOS管的体二极管就是他本身，热阻测试的时候也是测量二极管结压降与温度的关系。

增加关断电阻，关断延迟不就更大?

那么驱动芯片上标注的灌电流/拉电流就又有什么意义呢？比如我现在用IR2130驱动IGBT，即便将驱动电阻直接短路掉，IGBT的栅极驱动信号开通时间依然要1.8us.这个时候显然不能认为驱动是个无内阻的恒压源吧？

原方案是7个合金采样电阻并联，太占地方了。想把这个空间省出来放别的。

求教，啥叫正常有效的尖峰？测试条件是电压56V，三相桥驱动无刷电机，电流30A时，测量其中一个桥臂下管的Vds波形。

多谢指点，原来耐压还是和时间有关的啊。原来一直以为超过了就一定损坏。