MOS管能够承受多大的尖峰电压？

三相全桥，测量100V的N沟道MOS管的Vds电压，示波器显示尖峰的最大电压有100零几V甚至有时候会蹦到120多V，而用晶体管测试仪器测量该MOS管耐压时，耐压值只到108V。但这样工作了十几分钟，MOS管依然没有坏。这是什么道理？

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flying123

LV.6

2018-04-11 09:01

看下 mos Datasheet

chenyankun

LV.8

2018-04-11 11:57

首先确认你的尖峰是否正常有效，其次mos管ds耐压是正温度系数，温度高，耐压会上升，第三，你测试电压损坏是稳压还是尖峰，测试条件怎样？不过你测试尖峰超过耐压值，批量很容易出问题

juntion

2018-04-11 14:46

一般，半导体耐压特性标准为600uS, 也就是你量测波形尖峰到实功区，若整个尖峰区小于600uS, 那MOS是安全的，不过这是标准，在SOA曲线中，通常㑹有标示安全周期宽度时间，你可以参考......

lidijia

LV.4

2018-04-11 20:03

@juntion

一般，半导体耐压特性标准为600uS,也就是你量测波形尖峰到实功区，若整个尖峰区小于600uS,那MOS是安全的，不过这是标准，在SOA曲线中，通常㑹有标示安全周期宽度时间，你可以参考......

多谢指点，原来耐压还是和时间有关的啊。原来一直以为超过了就一定损坏。

lidijia

LV.4

2018-04-11 20:08

@chenyankun

求教，啥叫正常有效的尖峰？

测试条件是电压56V，三相桥驱动无刷电机，电流30A时，测量其中一个桥臂下管的Vds波形。

chenyankun

LV.8

2018-04-11 21:57

@lidijia

求教，啥叫正常有效的尖峰？测试条件是电压56V，三相桥驱动无刷电机，电流30A时，测量其中一个桥臂下管的Vds波形。

有时候高压探头测试未必是准，用低压探头试试。

hong_t

LV.6

2019-05-21 09:40

@juntion

一般，半导体耐压特性标准为600uS,也就是你量测波形尖峰到实功区，若整个尖峰区小于600uS,那MOS是安全的，不过这是标准，在SOA曲线中，通常㑹有标示安全周期宽度时间，你可以参考......

600us那么长时间吗？那0.1us的是不是可以忽略？

juntion

2019-05-21 13:59

@hong_t

600us那么长时间吗？那0.1us的是不是可以忽略？

是的, 0.1uS不算實功

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