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MOS管能够承受多大的尖峰电压?

三相全桥,测量100V的N沟道MOS管的Vds电压,示波器显示尖峰的最大电压有100零几V甚至有时候会蹦到120多V,而用晶体管测试仪器测量该MOS管耐压时,耐压值只到108V。但这样工作了十几分钟,MOS管依然没有坏。 这是什么道理?
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flying123
LV.6
2
2018-04-11 09:01
看下 mos Datasheet
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2018-04-11 11:57
首先确认你的尖峰是否正常有效,其次mos管ds耐压是正温度系数,温度高,耐压会上升,第三,你测试电压损坏是稳压还是尖峰,测试条件怎样?不过你测试尖峰超过耐压值,批量很容易出问题
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2018-04-11 14:46
一般,半导体耐压特性标准为600uS, 也就是你量测波形尖峰到实功区,若整个尖峰区小于600uS, 那MOS是安全的,不过这是标准,在SOA曲线中,通常㑹有标示安全周期宽度时间,你可以参考...... 
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lidijia
LV.4
5
2018-04-11 20:03
@juntion
一般,半导体耐压特性标准为600uS,也就是你量测波形尖峰到实功区,若整个尖峰区小于600uS,那MOS是安全的,不过这是标准,在SOA曲线中,通常㑹有标示安全周期宽度时间,你可以参考...... 

多谢指点,原来耐压还是和时间有关的啊。原来一直以为超过了就一定损坏。

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lidijia
LV.4
6
2018-04-11 20:08
@chenyankun
首先确认你的尖峰是否正常有效,其次mos管ds耐压是正温度系数,温度高,耐压会上升,第三,你测试电压损坏是稳压还是尖峰,测试条件怎样?不过你测试尖峰超过耐压值,批量很容易出问题

求教,啥叫正常有效的尖峰?

测试条件是电压56V,三相桥驱动无刷电机,电流30A时,测量其中一个桥臂下管的Vds波形。

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2018-04-11 21:57
@lidijia
求教,啥叫正常有效的尖峰?测试条件是电压56V,三相桥驱动无刷电机,电流30A时,测量其中一个桥臂下管的Vds波形。
有时候高压探头测试未必是准,用低压探头试试。
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hong_t
LV.6
8
2019-05-21 09:40
@juntion
一般,半导体耐压特性标准为600uS,也就是你量测波形尖峰到实功区,若整个尖峰区小于600uS,那MOS是安全的,不过这是标准,在SOA曲线中,通常㑹有标示安全周期宽度时间,你可以参考...... 

600us那么长时间吗? 那0.1us的是不是可以忽略?

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2019-05-21 13:59
@hong_t
600us那么长时间吗?那0.1us的是不是可以忽略?
是的, 0.1uS不算實功
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