IGBT驱动关断延迟较大

小弟最近在测试一款基于Avago ACPL339J 的IGBT驱动，门极开通电阻为5欧姆，关断电阻为2.5欧姆，现发现门极波形关断时延迟较大，同时开通时波形也不是特别理想。求各位大神帮忙分析一下原因，小弟在此不甚感激！

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rj44444

2014-01-15 21:07

IGBT的电流拖尾效应，这个很难达到理想

SKY丶辉煌

LV.10

2014-01-15 23:45

@rj44444

IGBT的电流拖尾效应，这个很难达到理想

IR 公司的开发重点在于减少IGBT 的拖尾效应，使其能快速关断，其研制的超快速IGBT 可最大限度地减小拖尾效应，关断时间不超过2000ns。采用特殊高能照射分层技术，关断时间不超过100ns，拖尾更短[1]。

IR公司在IGBT基础上推出两款结合FRD（快速恢复二极管）的新型器件，IGBT/FRD有效结合，将转换状态的损耗减少20%，采用TO—247外型封装，额定规格为1200V、25、50、75、100A，用于电机驱动和功率转换，以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联，在多芯片模块中实现更均匀的温度，进步整体可靠性。

zjsyjbb

LV.4

2014-01-16 07:25

IGBT这块没研究过的说，帮不了。

shenx123

LV.10

2014-01-17 14:45

@SKY丶辉煌

IR公司的开发重点在于减少IGBT的拖尾效应，使其能快速关断，其研制的超快速IGBT可最大限度地减小拖尾效应，关断时间不超过2000ns。采用特殊高能照射分层技术，关断时间不超过100ns，拖尾更短[1]。IR公司在IGBT基础上推出两款结合FRD（快速恢复二极管）的新型器件，IGBT/FRD有效结合，将转换状态的损耗减少20%，采用TO—247外型封装，额定规格为1200V、25、50、75、100A，用于电机驱动和功率转换，以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联，在多芯片模块中实现更均匀的温度，进步整体可靠性。

RCD做的好,延迟的也大的

陈海东

LV.1

2014-01-25 15:12

请提供您使用的IGBT型号以及ACPL-339J的外围电路，avago的ACPL-339J是avago最新一代的隔离驱动光耦，最大的亮点是通过N&Pmosfet作为推挽可以直接驱动1000多个A的管子。芯片内部完成了这两个管子的关闭和开启的延时，同时也是第一次实现加了buffer 后可以实现软关断的方案（以前的316J&33X系列加了buffer后就阉割了保护后的软关断功能），但是外围电路调试比较麻烦！