Boost升压 IC用的MAX668, 5V,2A输入(用的手机充电器),170V输出(给辉光管供电,最大输出电流30mA左右)。
但是带载后输出降到159V左右。
Rosc用的500KΩ,工作频率100KHz。
电路:
电感两边匝数比是多少?是不是最大占空比限制了?
的确会限制。后来将MOS的D引脚接到整流管正极那里了。
下图是改后电路图和电感的参数(其实就是把变压器两个电感串联起来当电感用了)。
输出电压设置为61V了。
带载:9.37KΩ
空载
加耦合绕组是为了提高升压比,不应该改的。
同名端改过了,和他标记的点相反而已,这个应该无所谓把。不过我没有C56 C57 D5。我测了D6两端的波形空载170左右跳的比较厉害,带载110左右了。但是测试后面的电容时电压就被稳定到八十几伏了(空载,带载时16V)
标记点相反无所谓。再调整下初级电感量,并增加高压边匝数试试。
会不会是IC的驱动能力问题,MAX668驱动电压只有5V,MOS用的ST的STL26NM60N。整流管用的超快回复的。
我查了下MOS(STL26NM60N)的数据手册,Vgs阈值电压最大是5v,应该可以驱动了。难道是因为此时Id太小了?
这个应该可以的吧,话说这个为什么不饱和呢。
请问这个互感绕组提高升压比是什么原理,可以分析讲解下吗?
还有那个同名端是的方向为什么要这样。
不明白互感绕组这个地方的工作原理。
谢谢!
终于搞出来了,PCB布局有问题,具体问题还不清楚,单独画了一个电源板,输出就正常了