正激电源每次启动驱动波形好连续

上电路

原理图如下

你把你的辅助电源断开，然后外供电就明白问题所在了

這是你的回授被預充電, 所以輸出發生OverShoot..

一是用一顆103電容串聯17K電阻與R6+R11並聯

另一種是C10在把直放小....

主要问题是辅助电源上吧！

這跟輔助沒關係, 是OverShoot造成的

辅助电源那里有问题吧！

测试下IC VCC波形就一目了然了。

第一个脉冲群： 上电，VCC启动前电容电压为0，辅助绕组无能量反馈。启动电容由启动电阻充电，直到IC 的 启动门槛电压， IC启动，VCC启动电容电压开始下降，辅助绕组能量反馈不足以补充到IC 截止门槛电压，IC截止输出，第一个脉冲群结束。

第二个脉冲群：IC截止输出，VCC启动电容上有上一次结束后没有放完电的残余电压，启动电容由启动电阻充电，直到IC 的 启动门槛电压， IC启动，VCC启动电容电压开始下降，辅助绕组能量补充到IC 启动电容，直到辅助绕组能量反馈不足以补充到IC 截止门槛电压，IC截止输出，第二个脉冲群结束。因为上一次启动电容已经有充电，所以这个周期时间比第一个脉冲群要短。

第三个脉冲同上，时间越来越短，直到辅助绕组能量补充到IC 启动电容上的能量满足电压维持在 截止门槛电压之上，电路进入稳态状态。

同意这观点

量一下C點與Vout波形, 對比VDS, 你會發現波形如上

VCC不足, 不會有那種只存在幾十mS周期的現象, 由於IC從Up Start 後掉回UVLO,必須重新啟動, 且Up Start與UVLO之間存在一個遲滯電壓, 所以打嗝時間會很固定

看到波形, 應該要有一個判斷

1). 正激用半週整流, 那麼輔助電壓會很高, 再經過穩壓, 不會有輔助不足情形

2). 關閉PWM輸出, 只有兩種狀況, 要不是VCC不足, 就是FB或CS本身關閉PWM輸出, 而VCC屬於打嗝, 間歇時間很長; FB或CS關閉, 則時間很短

    所以樓主波型是屬於FB或CS關閉PWM, 並不是VCC關閉

由上圖OP電路, 發生原因為:

當電路啟動後B點電壓先到A點電壓為零, C1被充一個Vref電壓, 當輸出電壓上升後, 透過電阻分壓使C點電壓達到與Vref同高, A點轉態, 先對C1放電後電流在拉上來, 此時光耦速度慢

C點被拉到比Vref還高, 所以PWM被關閉 , 此時輸出就會有OverShoot出現.....

當輸出電壓往下掉, C點電壓才往下掉, 從高點往Vref位準跑, 其中會因為OP Offset, 會有間歇性PWM送出, 直到C點=B點為止

這種現象稱為Feedback Respond Delay, 空載會較明顯, 重載則容易使MOS 失控

造成原因通常是因為OP與光耦電流造成,

解決方式可將光耦用Low Active方式, 速度可以加快些

或在回授分壓電阻用RC並聯加速

或將補償電容變小, 但這方法很容易改變極點, 造成抽載時不穩定....

如果是反馈回路参数问题，那么后面就不可能再恢复到正常状态，你再看楼主的电路图，那个辅助电源，他的辅助绕组是正激式的（注意看同名端），但是二极管整流直接的电容，没有电感，此时辅助绕组电压给电容充电，刚开始基本属于短路的！

信不信由你..... 

     

是环路造成的原因，在R6和R11上并联加速电容，没有效果，改快环路也没有太大效果，估计应该是比较器响应比较慢造成的，次级外接供电也没有太大效果，最后把环路比较器改为PC817加TL431试了一下可以，详见附件波形！

图1  为启动VCC波形和驱动波形

图2  是修改后的副边原理图

图3  是修改后的副边原理图，补偿电容C1用33nf，电阻用39K，电容单独改为10nF，改善很大但是没有完全改善，最后把C1改为10nF，R1改为47K

图4  是C1改为10nF，R1改为47K的波形

上图为占空比0.4时的驱动波形，发现VGS平台处只有6V左右了，也尝试了其它几种驱动电路感觉都不太理想，最后又改为原理图这种，还想请问版主，VGS，6V是不是太低了，会不会有问题？

十分感谢大家的帮助，谢谢！

借此机会也给大家分享一点小知识，希望有用。

薄膜电容

1、  薄膜电容的工作温度所指的是电容内部薄膜的温度，如果温度超过薄膜限温，薄膜则会受热收缩，可能会导致电极脱落。

2、  假设电容额定温度为85度，如果温度超过85度，使用电容耐压则每度下降1.25%，但是最高使用温度不得超过105度，超过使用温度时，寿命一般会以5%每年来瞬间

3、  CL21电容损耗约是CBB21的10倍左右

4、  CL11（涤纶电容）和CBB13都属于箔式电容器，其中涤纶电容比CBB电容更耐高温

5、  箔式电容器缺点主要是体积大，但是成本略低于金属化电容，主要成本差距是金属化电容的蒸镀机较贵（一般价格大于2000万）

压敏电阻

1、  决定压敏电阻常压主要是流过压敏电阻的电流决定的，在模拟雷击测试时，瞬间注入高压，但是雷击测试仪会有一个内阻，测试电压除以内阻，就是注入到压敏的电流，而这个电流就决定了压敏的常压。

2、  一般4KV雷击压敏的常压约压敏电压2.3倍左右，实际压敏上测试出的常压约等于电源输入电压+2.3倍压敏电压，做循环雷击测试时建议用高通流量压敏

 

陶瓷放电管

1、放电管的常压，600V的放电管约有900V以上的常压，30V左右的是放电管击穿后的弧光电压

运放+光耦一样应该没有问题！你图上辅助绕组的相位标的也有问题！

辅助电源相位实际用的就是正激

正激能不要电感？那你为什么不把你的主输出电感也去掉，还可以省一个电感呢！

其实你也可以用如下改法:

将Vref从Vo得来，也就是从Vo串电阻接431再接入Op, 把Vref与FB定为同来源

按波形推断，当接入RC于FB端，输出OverShoot会被削平而出现上升抛物线，此时FB点不会过充电，所以不应该还出现断续周期，再试着将R变小，C变大

让Vo上升更陡一点，应该会连续.... 

因为我看到有人这么用，说没啥问题

【讨论】正激无辅助电源的VCC供电方式的讨论-电源网http://www.dianyuan.com/bbs/702625.html

正激可以这样用，但圈数不宜太高，不能用反激的算法.. 

辅助绕组供电是不是不能加延时电路双管正激