我恰好做过这些尝试,
用100颗X7R规格1206封装的1nF/2KV并联,希望能代替一个100nF/1KV的CBB81薄膜电容。
效果非常不好,几秒内就看到容量迅速减小,从振荡波形可以看出,差不多不到10秒时间,容量减小近半,而且电容发热明显。
关于滤波电容也做过实验,用30颗0.1uF/450V的3225封装的电容并联,希望能在交流整流桥滤波后代替常规的CBB22电容,但是,却出现大量的电容击穿现象。
实验效果都非常不好,远比不过同等规格的金属化薄膜电容。基本没有可用性。
1210和1206基本完全一样,3225规格也试过,效果也都差不多,没试过NPO材质,主要是NPO没有KV级耐压,容量也小很多,同等规格价格比X7R贵10倍左右,关键是没有合适的规格容量。
X7R效果不行,Y5V就更不用说了。
C0G(NPO是以前的叫法)的温度变化率是低于30ppm/度,而金属化薄膜电容的温度变化率小于1ppm/度,并且价格约为同规格C0G电容的几十分之一。
3225的电容很贵,做这些实验花费约3000元,全是自己买菜钱省下来的,心疼了好久
确实应该用C0G呀,X7R本身容值随温度变化就是非常大。
不过高压C0G真的太贵了,一般真没法用