mosfet驱动问题

MOSFET的G S间对高电压特别敏感,加上一个电阻可以让静电之类迅速放掉,防止损坏.

这个电阻用于调节驱动波形上升速率,如果不加得话,驱动波形上升过陡会产生EMI.

那大小怎么选择呢

你看波形,调电阻啊

要是是GS之间的电阻的话,我觉得第2帖说的很有道理,怕有一些虚的感应电压击穿MOSFET,但是这个一直都没有搞清楚,还希望高手指点!如果你说的是串在驱动电路里的Rg的话,主要是看Qg了,因为Qg=I*Tr,I=U/Rg,所以这个电阻的大小就决定了上升时间的大小,一般选取都在10欧姆左右!不过还是要看选的管子的Qg值去定了!

1限流,2防止由于layout导致的谐振ring back,discharge的话一般会在gs间接个10kohm电阻,用来放电和保证初始状态Vgate=0,不会出现floating误导通的情况.
Rg一般选0ohm,2.2ohm,太大会对驱动能力造成影响.
个人愚见,仅供参考

谢谢,很好,一般在MOS的G极接一电容到地,电容应该多大?

gate端接一电容到地?
sorry,我比较孤陋寡闻...目前为止碰见的buck电路不管是control mosfet还是syn mosfet都没有这种结法...
期待其他大虾解答...

是D,呵呵,打错了,不好意思,

你说的是d端?control mosfet的d端吧?
那是buck cap啊,Vin因为瞬抽电流太大,需要大电容补充能量的啊.不然电压会掉的比较大,具体大小和数量要看具体参数的,一般都是几百uf居多的吧

D对地加电容,有些ZVS线路里面好像会加,构成软开关条件.
没有特殊手段的话,这种并在Drain上的电容只会构成Lose.
0.5*u*U*C*f的关系