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INN3674C设计的16.5W隔离反激式

        InnoSwitchTM3-EP系列芯片内部集成了725 V的功率MOSFET以及初级侧和次级侧的控制器，这些芯片均集成了初级和次级多模准谐振反激式控制器，高电压场效应管，次级传感和同步整流驱动器，效率也可以做的比较高，可以做到90%以上。 

      电源用INN3674C芯片设计的用于16.5W隔离反激式设计，双输出为5 V和9 V，电流大小分别为1.5 A和1 A，其满载时效率大于86％。双输出反激电源主要由输入滤波器和整流器、原边电路和副边电路三大部分组成。INN3674C采用InSOP-24D封装，该封装为引脚封装，具备安全、可靠、成本低的特点。

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gxg1122
LV.10
2
2020-04-11 21:29
这个电路设计支持快充协议QC3.0标准吗？
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紫蝶
LV.9
3
2020-04-12 21:11
@gxg1122
这个电路设计支持快充协议QC3.0标准吗？
这个电路设计是满足快充协议标准的，输出功率也比较大。
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gxg1122
LV.10
4
2020-04-13 12:25
@紫蝶
这个电路设计是满足快充协议标准的，输出功率也比较大。
这个是比较常见的隔离方式的大功率小体积的电源设计，效率比较高。
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lx25hb
LV.8
5
2020-04-13 12:51
INN3674优异的恒压/恒流精度，不受变压器设计或外围元件的影响
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cb_mmb
LV.8
6
2020-04-13 13:00
INN3674内置的同步整流(SR)驱动器，允许使用低成本的低压MOSFET进行同步整流，并可提高系统效率。
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dbg_ux
LV.9
7
2020-04-13 13:12
   InnoSwitch3系列的芯片散热性能好，减小损耗的同时实现了缩减产品的体积，提升电源的效率。
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xxbw6868
LV.9
8
2020-04-13 13:17
@cb_mmb
INN3674内置的同步整流(SR)驱动器，允许使用低成本的低压MOSFET进行同步整流，并可提高系统效率。
这个内置的同步整流驱动器算是一种比较先进的技术了吧，PI芯片只有这个系列和LYTSWITCH-6有这个功能。
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kckcll
LV.9
9
2020-04-13 13:33
@dbg_ux
  InnoSwitch3系列的芯片散热性能好，减小损耗的同时实现了缩减产品的体积，提升电源的效率。
INN3674具有多种安全保护，比如线路上的欠压或过压保护，输出端的限压限流保护以及过热关断保护等。
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紫蝶
LV.9
10
2020-04-13 17:59
@xxbw6868
这个内置的同步整流驱动器算是一种比较先进的技术了吧，PI芯片只有这个系列和LYTSWITCH-6有这个功能。
芯片内置同步整流电路，电源的输出效率高，设计也简单，不需要自己设计同步电路。
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紫蝶
LV.9
11
2020-04-13 18:03
@dbg_ux
  InnoSwitch3系列的芯片散热性能好，减小损耗的同时实现了缩减产品的体积，提升电源的效率。
开关电源同步整流需要全面测试，选择合适的器件。内部集成了这些测试就简单了。
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紫蝶
LV.9
12
2020-04-13 18:05
@cb_mmb
INN3674内置的同步整流(SR)驱动器，允许使用低成本的低压MOSFET进行同步整流，并可提高系统效率。
这个选择低成本的MOSFET进行同步整流，优势是降低产品成本，且性能不减。
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fengxbj
LV.8
13
2020-04-13 19:04
@紫蝶
芯片内置同步整流电路，电源的输出效率高，设计也简单，不需要自己设计同步电路。
主控电源芯片封装薄而小，适合超薄小尺寸的电源设计需求。
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大海的儿子
LV.10
14
2020-04-14 12:50
@kckcll
INN3674具有多种安全保护，比如线路上的欠压或过压保护，输出端的限压限流保护以及过热关断保护等。
该系列的开关电源有较高的输出功率，而不同型号的的开关电源IC有不同的输出功率
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trllgh
LV.9
15
2020-04-14 12:53
@紫蝶
这个选择低成本的MOSFET进行同步整流，优势是降低产品成本，且性能不减。
另外在SR FET上连接一个肖特基二极管可进一步将效率提高0.1%-0.2%，但是会增加成本。
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xxbw6868
LV.9
16
2020-04-14 12:57
@lx25hb
INN3674优异的恒压/恒流精度，不受变压器设计或外围元件的影响
INN3674的初级旁路引脚电容用作内部初级侧控制器的供电去耦电容，可决定内部MOSFET的电流限流点。
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spowergg
LV.10
17
2020-04-14 13:01
@kckcll
INN3674具有多种安全保护，比如线路上的欠压或过压保护，输出端的限压限流保护以及过热关断保护等。
当给开关电源供给230V左右的交流电压时，敞开式功率应用范围是12-45W，
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kckcll
LV.9
18
2020-04-15 13:20
@xxbw6868
INN3674的初级旁路引脚电容用作内部初级侧控制器的供电去耦电容，可决定内部MOSFET的电流限流点。
4.7μF的电容选择升高限流点，0.47μF的电容选择标准限流点。
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dbg_ux
LV.9
19
2020-04-15 13:28
@kckcll
INN3674具有多种安全保护，比如线路上的欠压或过压保护，输出端的限压限流保护以及过热关断保护等。
当给开关电源供给85-265V范围内的交流电压时，敞开式功率应用范围是10-40W。
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svs101
LV.8
20
2020-04-15 14:31
@kckcll
4.7μF的电容选择升高限流点，0.47μF的电容选择标准限流点。
这个看设计需要，外接电容容值不同，电源设计的限流点是不同的。
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svs101
LV.8
21
2020-04-15 14:31
@紫蝶
芯片内置同步整流电路，电源的输出效率高，设计也简单，不需要自己设计同步电路。
PI芯片内置同步整流控制器，电路设计就简单化，且产品尺寸也缩小了。
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svs101
LV.8
22
2020-04-15 14:38
@dbg_ux
当给开关电源供给85-265V范围内的交流电压时，敞开式功率应用范围是10-40W。
PI的这个系列芯片设计宽范围电压输入，轻载或重载时整体效率比较高。
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lx25hb
LV.8
23
2020-04-15 17:47
@trllgh
另外在SRFET上连接一个肖特基二极管可进一步将效率提高0.1%-0.2%，但是会增加成本。
由于低压MOSFET的成本较低，SR FET可在不增加成本的前提下提供显著的效率提升。
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cb_mmb
LV.8
24
2020-04-15 17:53
@kckcll
4.7μF的电容选择升高限流点，0.47μF的电容选择标准限流点。
为确保获得正确的电流限流值，建议仅使用0.47μF/4.7μF的电容。
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spowergg
LV.10
25
2020-04-15 17:59
@trllgh
另外在SRFET上连接一个肖特基二极管可进一步将效率提高0.1%-0.2%，但是会增加成本。
也可以通过将栅极驱动同步整流引脚短接至接地，可以使用肖特基二极管或快速恢复二极管进行输出整流。
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xxbw6868
LV.9
26
2020-04-15 18:04
@kckcll
4.7μF的电容选择升高限流点，0.47μF的电容选择标准限流点。
这个电容虽然可以使用电解电容，但在双面板上最好用贴片的X7R陶瓷电容.对电容容量误差也是有要求的。
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ycdy09@163.com
LV.9
27
2020-06-17 17:49
@gxg1122
这个是比较常见的隔离方式的大功率小体积的电源设计，效率比较高。
选择使用INN3674C芯片主要就是因为简化同步整流变换的设计和生产。
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原来会员名可以很长的
LV.9
28
2020-08-28 21:17
@cb_mmb
INN3674内置的同步整流(SR)驱动器，允许使用低成本的低压MOSFET进行同步整流，并可提高系统效率。
管理器内部的次级侧检测和同步整流驱动器完全简化
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k8882002
LV.9
29
2021-09-16 14:22
@xxbw6868
INN3674的初级旁路引脚电容用作内部初级侧控制器的供电去耦电容，可决定内部MOSFET的电流限流点。

如果把电源按照平均功率设计但允许超出额定最大电流的 50% 的峰值电流通过，则电源会比较小。

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眼睛里的海
LV.9
30
2021-09-16 14:41
@k8882002
如果把电源按照平均功率设计但允许超出额定最大电流的50%的峰值电流通过，则电源会比较小。

适合较低平均功率的磁性元件是可以应对峰值功率的，虽然在峰值期间的效率稍微低些。

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wengnaibing
LV.9
31
2021-09-16 14:44
@眼睛里的海
适合较低平均功率的磁性元件是可以应对峰值功率的，虽然在峰值期间的效率稍微低些。

这样不会显著影响电源的效率，反而较小尺寸的变压器会减小整体尺寸和降低成本

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