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LM3478 boost升压效率低(<40%)

参考TI WEBENCH的LM3478电路,输入12~24V,输出48V/1A,原理图和PCB如下。四层板。L2是GND

实际测试:小负载(电阻>=1K ohm)能起来,效率很低(<40%),负载小于500 ohm,上电后2秒内,mos管烧掉。

问题:1.效率为什么这么低?

           2.我按照WEBENCH的设计,将48V/1A改成48V/0.33A,效率依然很低

           3.同样的PCB,我按照WEBENCH设计,改成5V输入,12V/1A输出,效率依然很低

           4.为什么和标称的80%以上的效率差的这么远

lm3478_datasheet

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2020-06-11 08:13
不同的输入,输出电压及电流,肯定效率不一样,主要跟占空比有关,还有是跟线路架构有关。
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2020-06-11 10:07
可以用示波器看看DRV脚的波形是否有异常(有无振荡,tr tf是否过慢?),VOH是否大于MOS管的充分导通阈值。
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gzh886
LV.1
4
2020-06-11 11:30
@dy-R16neaYx
可以用示波器看看DRV脚的波形是否有异常(有无振荡,trtf是否过慢?),VOH是否大于MOS管的充分导通阈值。

1.震荡好像没看到

2.上升沿有点回勾

3.下降沿看着还好

4.mos的上升时间18ns

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gzh886
LV.1
5
2020-06-11 11:45
@dy-R16neaYx
可以用示波器看看DRV脚的波形是否有异常(有无振荡,trtf是否过慢?),VOH是否大于MOS管的充分导通阈值。

另外,我把电感从15uH换成了68uH,相同输入输出(24V in  48out  0.096A)的情况下,效率从34%(15uH,开关频率560k)提升到了54%(68uH,开关频率252K)

与标称的90%的效率相去甚远

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2020-06-11 12:44
负载太小效率会低,加半载测效率
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