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TNY277设计的5V电源

TNY277是PI的 Tnyswitch-III系列的芯片，成了高压功率MOSFET和ON/OFF反激式电源控制器。适用于最高25 W的小型敞开式离线电源或电源适配器，并且具有出色的空载和轻载效率以及极快的瞬态响应。外围电路设计简单，具有简单的开/关控制，无需环路补偿通过BP/M引脚电容值可选择不同的电流限流。广泛用于要求提供精确恒压或恒压/恒流工作的应用。

利用TNY277设计 的5V待机电源，电源输出可远程控制，通过ON/OFF控制电源的启动与待机，整体电路简单，功耗低。

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fengxbj
LV.8
2
2020-08-10 15:31
芯片集成功能强大，具有多种输入输出保护功能。产品自带高压MOSFET，满足大部分的设计要求。
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紫蝶
LV.9
3
2020-08-10 16:54
MOSFET导通损耗跟随开关频率增大而增大，MOSFET寄生电容损耗开关交叠损耗都会影响效率。
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紫蝶
LV.9
4
2020-08-10 16:55
@紫蝶
MOSFET导通损耗跟随开关频率增大而增大，MOSFET寄生电容损耗开关交叠损耗都会影响效率。
TNY277产品的电源对于因制造偏差、老化和工作温度造成的元件差异相对不太敏感。
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gxg1122
LV.10
5
2020-08-11 12:27
增加偏置绕组后，更低的偏置电压向IC供电，并抑制了内部高压电流源供电，从而将空载功耗降低。
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gxg1122
LV.10
6
2020-08-11 12:29
@紫蝶
MOSFET导通损耗跟随开关频率增大而增大，MOSFET寄生电容损耗开关交叠损耗都会影响效率。
随负载的减轻，使能周期也随之减少，从而降低有效的开关频率，减低开关损耗。
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gxg1122
LV.10
7
2020-08-11 12:30
@紫蝶
TNY277产品的电源对于因制造偏差、老化和工作温度造成的元件差异相对不太敏感。
芯片的开/关控制电路的响应时间比PWM控制要迅速得多，可获得精确的稳压精度。
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svs101
LV.8
8
2020-08-11 13:16
@gxg1122
芯片的开/关控制电路的响应时间比PWM控制要迅速得多，可获得精确的稳压精度。
当下降的输出电压低于反馈阈值时，会使能一个开关周期，根据负载的不同来选择开关次数.
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svs101
LV.8
9
2020-08-11 13:17
@gxg1122
随负载的减轻，使能周期也随之减少，从而降低有效的开关频率，减低开关损耗。
j为了降低偏置绕组上由漏感引起的误差电压影响，并保证空载时有足够电压供应给BP/M引脚，以降低空载功耗
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svs101
LV.8
10
2020-08-11 13:17
@gxg1122
增加偏置绕组后，更低的偏置电压向IC供电，并抑制了内部高压电流源供电，从而将空载功耗降低。
输入电压低于欠压值时，TNY277就自动关断，起到保护作用，当输入电压高于欠压阈值时才工作。
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fengxbj
LV.8
11
2020-08-11 13:23
@gxg1122
增加偏置绕组后，更低的偏置电压向IC供电，并抑制了内部高压电流源供电，从而将空载功耗降低。
LYTSwitch-4系列的芯片集成了单级功率因数校正，电源功率因素可以做到大于0.9。
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fengxbj
LV.8
12
2020-08-11 13:24
@gxg1122
芯片的开/关控制电路的响应时间比PWM控制要迅速得多，可获得精确的稳压精度。
芯片的ON/OFF这种控制方式可获得精确的稳压精度及出色的瞬态响应特性。
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尘埃中的一粒沙
LV.5
13
2020-08-11 14:30
@gxg1122
随负载的减轻，使能周期也随之减少，从而降低有效的开关频率，减低开关损耗。
芯片集成功能强大，电源设计简单，低成本高效率的设计方案。
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ehi763
LV.6
14
2021-11-05 17:08
@fengxbj
LYTSwitch-4系列的芯片集成了单级功率因数校正，电源功率因素可以做到大于0.9。

单级有源功率因素校正 一般采用的是boost电路，因为此电路的元器件最少，成本也是最低的。

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spowergg
LV.10
15
2021-11-05 17:16
@fengxbj
LYTSwitch-4系列的芯片集成了单级功率因数校正，电源功率因素可以做到大于0.9。

功率因数校正级工作在电流断续模式,具有较低的总谐波畸变和较高的功率因数。

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xxbw6868
LV.9
16
2021-11-05 17:23
@spowergg
功率因数校正级工作在电流断续模式,具有较低的总谐波畸变和较高的功率因数。

如果电路直接能量传递方式会降低直流母线电压并且提高了电路的效率

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大海的儿子
LV.10
17
2021-11-05 17:27
@ehi763
单级有源功率因素校正 一般采用的是boost电路，因为此电路的元器件最少，成本也是最低的。

Boost变换器工作在DCM模式，在占空比和频率恒定的情况下可以达到功率因数校正

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trllgh
LV.9
18
2021-11-05 17:32
@大海的儿子
Boost变换器工作在DCM模式，在占空比和频率恒定的情况下可以达到功率因数校正

反激变换器可以工作在DCM或CCM模式，小功率可以不用加功率校正因数。

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dbg_ux
LV.9
19
2021-11-05 17:42
@svs101
j为了降低偏置绕组上由漏感引起的误差电压影响，并保证空载时有足够电压供应给BP/M引脚，以降低空载功耗

还有电源布局的好坏，跟布局也有很大的关系，单点接地在输入滤波电容与连接到源极引脚的铜铂区域使用单点 接地。 

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tabing_dt
LV.10
20
2021-11-05 17:45
@dbg_ux
还有电源布局的好坏，跟布局也有很大的关系，单点接地在输入滤波电容与连接到源极引脚的铜铂区域使用单点接地。 

旁路电容也就是BP/M引脚电容应放置在距离BP/M引脚和源极引脚最近的地方。

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荧火
LV.4
21
2021-12-02 11:34

感觉外围元件还是比较多，应该是比较老的芯片了。

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眼睛里的海
LV.9
22
2021-12-03 17:07
@荧火
感觉外围元件还是比较多，应该是比较老的芯片了。

TNY277是TinySwitch-III系列的芯片，最大输出功率23.5W，适合用来做小功率的电源，不算老的芯片，PI还有销售这款芯片。

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spowergg
LV.10
23
2022-02-10 21:06
@紫蝶
MOSFET导通损耗跟随开关频率增大而增大，MOSFET寄生电容损耗开关交叠损耗都会影响效率。

开关电源的损耗跟电源的工作电压，工作电流，开关频率 相关，要看工作条件决定。

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spowergg
LV.10
24
2022-02-10 21:07
@trllgh
反激变换器可以工作在DCM或CCM模式，小功率可以不用加功率校正因数。

对于DCM、CCM等工作模式没有必要纠结，每种模式都有优缺点，而且有的电路往往是几种模式共存的。

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xxbw6868
LV.9
25
2022-02-10 21:20
@spowergg
对于DCM、CCM等工作模式没有必要纠结，每种模式都有优缺点，而且有的电路往往是几种模式共存的。

主要还是看选择的芯片，比如在待机输入低压时或开机PFC没工作时CCM,在PFC正常后转为DCM.

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xxbw6868
LV.9
26
2022-02-10 21:21
@spowergg
开关电源的损耗跟电源的工作电压，工作电流，开关频率相关，要看工作条件决定。

还有一个条件，就是MOSFET的Rds和其它结电容，撇开这些条件就没什么意义了。

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ehi763
LV.6
27
2022-02-10 22:05
@xxbw6868
主要还是看选择的芯片，比如在待机输入低压时或开机PFC没工作时CCM,在PFC正常后转为DCM.

一般LED电源在DCM.DCM模式的话二次侧整流管无需要考虑反响恢复时间。

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ehi763
LV.6
28
2022-02-10 22:05
@xxbw6868
还有一个条件，就是MOSFET的Rds和其它结电容，撇开这些条件就没什么意义了。

MOSfet的损耗，分为交流损耗和导通损耗。导通损耗的话，还要看mosfet的负载是什么特性的。

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trllgh
LV.9
29
2022-02-10 22:46
@ehi763
一般LED电源在DCM.DCM模式的话二次侧整流管无需要考虑反响恢复时间。

DCM峰值电流大,输出电容纹波电流大.电容温升高.由MOSFET关断后振荡状态可以实现接近零电压开通.

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dbg_ux
LV.9
30
2022-02-10 22:54
@trllgh
DCM峰值电流大,输出电容纹波电流大.电容温升高.由MOSFET关断后振荡状态可以实现接近零电压开通.

CCM传送能量大，开关器件应力小，有效电流小，发热小，效率高，不过，变压器体积比较大

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dbg_ux
LV.9
31
2022-02-10 22:55
@xxbw6868
还有一个条件，就是MOSFET的Rds和其它结电容，撇开这些条件就没什么意义了。

mosfet的负载是感性的还是阻性的，同样的驱动电路，mos的开关损耗是不一样的。

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