今天以我个人理解对平面MOSFET与超结MOSFET作个比较，有差的请大家指正：
传统的平面型结构VDMOS ， 随着耐压值增加，导通电阻也急剧增大，否则就需要增大芯片面积，增加了成本。基于超结(Super Junction，简称SJ)的高压功率MOSFET，是通过低阻抗电流通路的沟槽结构， 同时具有高耐压和低电阻特性的一种新型器件。 特殊的超结结构让高压超结MOSFET内阻在同样面积情况下降低到传统平面MOSFET的1/3-1/5。
高效率比较高的轻载、满载效率，超低的导通内阻、 Qg，有效的降低导通、开关损耗。
►低温升较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命。
►高稳定性比较强的EAS能力，能对电源抗冲击能力提供有效保障。芯片内部缺陷远少于低成本的沟槽工艺产品，高温稳定性大大提高。
►易用性超致的SJ-MOSFET在使用过程中简单、易用，驱动电流需求很小，对新一代高速开关电源提供有力的支持。
►型号齐全超致SJ-MOSFET拥有比较全的型号，电压等级覆盖500V， 600V， 650V， 700V， 800V， 900V；电流等级覆盖2A， 5A， 7A， 10A， 11A， 15A， 20A， 30A， 47A等全系列产品。后续还会开发更多规格的产品。
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