LLC拓朴中谐振电容容量由47nF受高温鼓包变值为6PF,一通电即烧上下MOS管,三极都击穿
LLC拓朴中谐振电容容量由47nF受高温鼓包变值为6PF,一通电即烧上下MOS管,三极都击穿,必须将此三个元件同时换掉才修好,请问为什么会烧上下管,原理是什么?芯片开关频率FSW低于两个谐振频率FR1,FR2导致吗?
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@lqh1972
[图片]当功率降低,以及LLC电压超过目标调节电压(12V或是19.5V时),光耦上的电流会增长,同时SNSFB电压降低,如上图所示。谐振变换器会按照内部的频率控制曲线升高频率。因为频率越高,输出的功率也降低,输出电压也降低。如果输出电压变得很低很低,控制会降低系统工作频率,增加系统输出功率。通过这种方式,系统会将输出功率调节到需求的大小。
上式中为LLC拓朴两个谐振频率,FR1为重载时因负载的反射作用Lm短路未能与谐振,故谐振频率要高,FR2空载时谐振频率,励磁电感Lm参与谐振,故谐振频率会低。与PWM不同原理,当UO(P())↑→光耦1,2ILED↑→光耦3,4脚ICE↑→IC VFB↓→PWM IC内占空比D↓→开关MOS管导通时间会变短,变压器初级储能会变小,变压器耦后反馈次级电压会降低,→UO(P())↓从而达到稳压的目的。而LLC PFM原理不能理解:当UO(P())↑→光耦1,2ILED↑→光耦3,4脚ICE↑→IC VFB↓→fSW↑芯片内谐振变换器会按照内部的频率控制曲线升高开关频率fSW→UO(P())↓(此步理解不了,因PFM开关导通时间不变tON , fSW上升则T反而是下降,T=1/ f,又因为T=tON+tOff ,开关管导通时间不变,周期下降则开关截止时间也变短,按理论应该是输出电压会上升才对,怎么会下降呢。
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@lqh1972
[图片]上式中为LLC拓朴两个谐振频率,FR1为重载时因负载的反射作用Lm短路未能与谐振,故谐振频率要高,FR2空载时谐振频率,励磁电感Lm参与谐振,故谐振频率会低。与PWM不同原理,当UO(P())↑→光耦1,2ILED↑→光耦3,4脚ICE↑→ICVFB↓→PWMIC内占空比D↓→开关MOS管导通时间会变短,变压器初级储能会变小,变压器耦后反馈次级电压会降低,→UO(P())↓从而达到稳压的目的。而LLCPFM原理不能理解:当UO(P())↑→光耦1,2ILED↑→光耦3,4脚ICE↑→ICVFB↓→fSW↑芯片内谐振变换器会按照内部的频率控制曲线升高开关频率fSW→UO(P())↓(此步理解不了,因PFM开关导通时间不变tON,fSW上升则T反而是下降,T=1/f,又因为T=tON+tOff ,开关管导通时间不变,周期下降则开关截止时间也变短,按理论应该是输出电压会上升才对,怎么会下降呢。
LLC PFM频率调制,开关频率FSW与两个谐振频率FR1,FR2一直搞不懂是怎么根椐输出负载而变化的。输出负载变化时FR1(空载或轻载时谐振频率),FR2(重载时谐振频率),FSW(芯片内开关工作频率)都在随负载变化,且要维持FR1>FSW>FR2,请大师指点迷津。
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@zq841102
一看就是假货。法拉的不是这种颜色的
/upload/community/2020/12/03/1606983243-81822.pdf 供应商回复报告为生产时没有错边造成老化鼓包
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