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DCDC升压电路MOS DS波形尖峰非常高

方案用的是上海南芯的SC8804

MOS用的ON的5C670L

驱动电阻用的4.7R

GS波形还不错 

Q1 Q2的DS波形尖峰太高 峰峰值高达60V  MOS管的耐压也就60V

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谢开源
LV.5
2
2020-10-16 13:48
工作模式CCM?
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dy-r4ynqSkv
LV.1
3
2020-10-16 16:52
@谢开源
工作模式CCM?
这个也不是很清楚 是个小白  偶尔会烧MOS 更改驱动电阻只能改善GS波形 DS波形不知道怎么改善
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ZhangDeng
LV.1
4
2020-10-16 17:03
在上下两个MOS管的DS管脚处，就近（越近越好）各并联一个100V/1206/2.2nF电容试试，把下管的RC吸收去掉，应该会有改善
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dy-r4ynqSkv
LV.1
5
2020-10-16 17:08
@ZhangDeng
在上下两个MOS管的DS管脚处，就近（越近越好）各并联一个100V/1206/2.2nF电容试试，把下管的RC吸收去掉，应该会有改善
好的我试试
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谢开源
LV.5
6
2020-10-17 08:46
@dy-r4ynqSkv
这个也不是很清楚是个小白 偶尔会烧MOS更改驱动电阻只能改善GS波形DS波形不知道怎么改善
把R3,R4改成22R，或改为这样
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dy-r4ynqSkv
LV.1
7
2020-10-17 08:57
@谢开源
把R3,R4改成22R，或改为这样[图片]
额 你发的的图看不见呀
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ZhangDeng
LV.1
8
2020-10-20 15:02
@dy-r4ynqSkv
好的我试试
试了没，效果咋样发出来看看啊
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guaiguaizi
LV.4
9
2020-11-06 17:47
南芯的芯片对布局走线要求比较高，走线不好，修改外围都很难调好！
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firefox886
10
2020-11-06 20:41
把驱动电阻加大，同时给整流管并一颗肖特基试一下！
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raulgu
LV.4
11
2020-11-07 23:04
@guaiguaizi
南芯的芯片对布局走线要求比较高，走线不好，修改外围都很难调好！
正解。回路必须小而且加滤波能去掉
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wx_kang
LV.1
12
2020-12-07 10:02
可以了嘛
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