MOS降低发热功耗除了并联还有其他的方法不？电流是不能变的。并联虽然内阻可以减小，不过好像会影响同步的开关速度。不同步开关的话MOS可能就烧了

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LV.1

2020-11-23 18:31

有个问题啊，在高压输入准谐振中，是导通损耗大还是开关损耗大？

LV.6

2020-11-24 10:29

@stephon

有个问题啊，在高压输入准谐振中，是导通损耗大还是开关损耗大？

你分析下

LV.9

2020-11-24 12:01

@stephon

有个问题啊，在高压输入准谐振中，是导通损耗大还是开关损耗大？

开关损耗大小是与管芯的节电容大小及开关频率有关的

LV.1

2020-11-24 19:17

@QWE4562009

你分析下

个人认为在高压输入中，开关损耗等于MOSFET的输出电容Coss存储的能量，看到的高压MOS这个电容都比较小在百纳法以内，那导通损耗都是电流有效值平方乘导通电阻。且高压MOS的导通电阻都比较大。那一般是导通损耗大于开关损耗，那这样的话准谐振的效率在高压输入中应该不会太高吧？

LV.6

2020-11-25 18:30

@stephon

有具体的计算步骤吗

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MOS降低发热功耗 除了并联 还有其他的方法不？电流是不能变的。并联虽然内阻可以减小，不过好像会影响同步的开关速度。不同步开关的话MOS可能就烧了