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MOS的热阻计算

MOS的热阻计算
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2020-11-23 15:55
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stephon
LV.1
3
2020-11-23 18:30
坐等大佬讲解。
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msz181818
LV.9
4
2020-11-24 13:00
@stephon
坐等大佬讲解。
参数表中是给出了25度和100度时管子的内阻,管子内阻是随着管芯温度而变的
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stephon
LV.1
5
2020-11-24 13:28
@msz181818
参数表中是给出了25度和100度时管子的内阻,管子内阻是随着管芯温度而变的
下面带星号是100°的吗?
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msz181818
LV.9
6
2020-11-25 10:48
@stephon
下面带星号是100°的吗?
下面带星号是150°的
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2020-11-25 18:29

哪个坛友 大牛  小牛知道的  帮忙回复下  

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stephon
LV.1
8
2020-11-27 08:59
@msz181818
下面带星号是150°的
请教一下,MOS的导通损耗和驱动电阻阻值有关系吗?
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2020-11-27 21:24
@stephon
请教一下,MOS的导通损耗和驱动电阻阻值有关系吗?
RG越大,开通关断速度慢,损耗会大,
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stephon
LV.1
10
2020-11-28 10:07
@dy-JtakSHHY
RG越大,开通关断速度慢,损耗会大,
我也是这么认为的,我那个有经验的同事老说只跟datasheet里的Eon和Eoff有关。Ron越大米勒平台时间越长,损耗越大。再具体我就不知道了。
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QWE4562009
LV.6
11
2020-11-30 09:51
@QWE4562009
哪个坛友大牛 小牛知道的 帮忙回复下 

没有一个会计算的    都是浅尝辄止

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Hgp0512
LV.1
12
2020-11-30 12:14
在没有散热器的情况下,mos管1w热量会温升91℃,即t温升=Rja*P,当散热器散热时,温升=(Rjc+R1)*P,R1为散热器内阻
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QWE4562009
LV.6
13
2020-11-30 14:01
@Hgp0512
在没有散热器的情况下,mos管1w热量会温升91℃,即t温升=Rja*P,当散热器散热时,温升=(Rjc+R1)*P,R1为散热器内阻

怎么没看到结温和环境温度的使用

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Hgp0512
LV.1
14
2020-11-30 21:45
注意,我计算的是温升,温升加上环境温度就是实际结温了
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Hgp0512
LV.1
15
2020-11-30 21:50
@Hgp0512
在没有散热器的情况下,mos管1w热量会温升91℃,即t温升=Rja*P,当散热器散热时,温升=(Rjc+R1)*P,R1为散热器内阻
注意,我计算的是温升,环境温度加上温升就是结温了!
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QWE4562009
LV.6
16
2020-12-01 11:32
@Hgp0512
注意,我计算的是温升,温升加上环境温度就是实际结温了
您好  你这个热阻用哪个  RθJA   还是 RθJC 
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dy-MsZi3kWe
LV.1
17
2020-12-02 10:30
@Hgp0512
注意,我计算的是温升,温升加上环境温度就是实际结温了

芯片温度Tj=P*θJA+Ta,其中P是管子工作功率、θJA就是管子的热阻表示的是junction To Ambient即芯片到环境的热阻(spec上有这项参数)、Ta是管子工作时的环境温度;

芯片温度还可表示为Tj=P*θJC+Tc,θJC是junction To Case即芯片到管体的热阻(spec上有这项参数)、Tc是管体的表面温度可以用温度计现场测试;

管体温度Tc=P*θCA+Ta

热阻还可表示为θJA=θJC+θCA,θJC是junction到case即芯片到管体的热阻、θCA是case到Ambient即管体到环境的热阻;

以上4元方程组中,Tj、θJA、θJC、θCA是未知量,应该都可以计算出来了

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QWE4562009
LV.6
18
2020-12-02 10:43
@dy-MsZi3kWe
芯片温度Tj=P*θJA+Ta,其中P是管子工作功率、θJA就是管子的热阻表示的是junctionToAmbient即芯片到环境的热阻(spec上有这项参数)、Ta是管子工作时的环境温度;芯片温度还可表示为Tj=P*θJC+Tc,θJC是junctionToCase即芯片到管体的热阻(spec上有这项参数)、Tc是管体的表面温度可以用温度计现场测试;管体温度Tc=P*θCA+Ta,热阻还可表示为θJA=θJC+θCA,θJC是junction到case即芯片到管体的热阻、θCA是case到Ambient即管体到环境的热阻;以上4元方程组中,Tj、θJA、θJC、θCA是未知量,应该都可以计算出来了

还没看完就看出你是高手!我多看几遍  谢谢你

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QWE4562009
LV.6
19
2020-12-02 10:45
@dy-MsZi3kWe
芯片温度Tj=P*θJA+Ta,其中P是管子工作功率、θJA就是管子的热阻表示的是junctionToAmbient即芯片到环境的热阻(spec上有这项参数)、Ta是管子工作时的环境温度;芯片温度还可表示为Tj=P*θJC+Tc,θJC是junctionToCase即芯片到管体的热阻(spec上有这项参数)、Tc是管体的表面温度可以用温度计现场测试;管体温度Tc=P*θCA+Ta,热阻还可表示为θJA=θJC+θCA,θJC是junction到case即芯片到管体的热阻、θCA是case到Ambient即管体到环境的热阻;以上4元方程组中,Tj、θJA、θJC、θCA是未知量,应该都可以计算出来了

感觉比LDO温升计算复杂多了   你干脆列一个公式给我啊  

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dy-MsZi3kWe
LV.1
20
2020-12-02 10:45
@dy-MsZi3kWe
芯片温度Tj=P*θJA+Ta,其中P是管子工作功率、θJA就是管子的热阻表示的是junctionToAmbient即芯片到环境的热阻(spec上有这项参数)、Ta是管子工作时的环境温度;芯片温度还可表示为Tj=P*θJC+Tc,θJC是junctionToCase即芯片到管体的热阻(spec上有这项参数)、Tc是管体的表面温度可以用温度计现场测试;管体温度Tc=P*θCA+Ta,热阻还可表示为θJA=θJC+θCA,θJC是junction到case即芯片到管体的热阻、θCA是case到Ambient即管体到环境的热阻;以上4元方程组中,Tj、θJA、θJC、θCA是未知量,应该都可以计算出来了
另外,我们生产厂家,是可以提前知道某一工作功率下对应的芯片温度Tj是多少,因此计算热阻只需要一个方程就搞定。
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dy-MsZi3kWe
LV.1
21
2020-12-02 10:52
@QWE4562009
感觉比LDO温升计算复杂多了 你干脆列一个公式给我啊 

我重新简单整理下计算过程

Tj=P*θJA+Ta

Tj=P*θJC+Tc

Tc=P*θCA+Ta

θJA=θJC+θCA

1. Tj:芯片温度,生产厂家在封装芯片前就可以提前测出P和Tj的对应曲线,但是封装为成品后就没法测出Tj了,因此要想在不知道P@Tj的曲线图情况下求热阻,只能通过上面4元方程组来算;

2. P:管子工作在稳态时的功率,通过Rdson、Id、Vds等可以计算;

3. θJA:芯片(junction)到周围环境(to Ambient)的热阻

4. θJC:芯片到管壳(to Case)的热阻

5. θCA:从管壳到环境的热阻

6. Ta:工作时的环境温度

7. Tc:工作在稳态时的管体表面温度,可以用仪器现场实测;

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QWE4562009
LV.6
22
2020-12-02 13:44
@dy-MsZi3kWe
另外,我们生产厂家,是可以提前知道某一工作功率下对应的芯片温度Tj是多少,因此计算热阻只需要一个方程就搞定。
您好。我们最终的目的是要算出MOS的温升是多少,热阻不是已知的吗?
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dy-MsZi3kWe
LV.1
23
2020-12-02 15:30
@QWE4562009
您好。我们最终的目的是要算出MOS的温升是多少,热阻不是已知的吗?

我看你的图片中有在问为什么热阻有几个,因此细说了些,可能偏题了。

温升可以从热阻上直接读出来,比如你这份SPEC中的θJA=91°C/W,意思是每增加1W的功耗,Tja就升高91°C,也即Tja=Tj-Ta=91°C,那么芯片的温度Tj=91°C+Ta,

不知道有没有答对,

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QWE4562009
LV.6
24
2020-12-02 19:00
@dy-MsZi3kWe
我看你的图片中有在问为什么热阻有几个,因此细说了些,可能偏题了。温升可以从热阻上直接读出来,比如你这份SPEC中的θJA=91°C/W,意思是每增加1W的功耗,Tja就升高91°C,也即Tja=Tj-Ta=91°C,那么芯片的温度Tj=91°C+Ta,不知道有没有答对,
应该说不是很严谨,91℃算少了   你只算了一部分   还有其他的热阻发热没算进去
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BG001
LV.1
25
2020-12-02 20:39
围观大神
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2020-12-15 16:01
温升等于(I2*Rds+Pon+Poff)*Jc+Tc
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QWE4562009
LV.6
27
2020-12-15 18:42
@北方流浪
温升等于(I2*Rds+Pon+Poff)*Jc+Tc
不应该等于所有渠道的热阻温升之和+环境温度吗?
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