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SP6649HF主要应用于充电器 PDA、数码相机、摄像机电源适配器机顶盒电源开放框架式开关电源个人电脑辅助电源
SP6649HF规格书概述：
SP6649HF是一颗电流模式 PWM 控制芯片，内置 650V 高压功率 MOSFET，应用于功率在 30W 以内的方案。SP6649HF 在 PWM 模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者轻载时，工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的工作效率。SP6649HF在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二极管反向恢复电流对电路的影响。SP6649HF 采用了抖频技术，能够有效改善系统的 EMI 性能。系统的跳频频率设置在音频(22KHz)以上，在工作时可以避免系统产生噪音。SP6649HF 内置多种保护，包括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（VDD OVP），VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO），过温保护（OTP）等，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的 EMI 特性和开关的软启动控制。
二、特点：
全电压范围（90Vac-265Vac）输入时待机功耗小于 75mW内置 650V 高压功率管4ms 软启动用来减少 MOSFET 上 Vds 的应力抖频功能，改善 EMI 性能跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗无噪声工作固定 65KHz 开关频率内置同步斜坡补偿低启动电流，低工作电流内置前沿消隐(LEB)功能过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP） VDD 过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO），VDD 电压箝位过温保护（OTP） SOP8 无铅封装
