NCE60NP2012K 是一款N+P沟道结合的MOS管，应用电机驱动
N通道
●VDS = 60V，ID = 20A RDS（ON）<35毫欧 ，VGS = 10V RDS（ON）<40毫欧， VGS = 4.5V
P沟道
●VDS = -60V，ID = -12A RDS（ON）<100毫欧，VGS = -10V RDS（ON）<125毫欧 ，VGS = -4.5V
●高密度电池设计，适用于超低Rdson
●充分表征雪崩电压和电流
●良好的稳定性和均匀性，高EAS
●优异的封装，散热良好
●高ESD能力的特殊工艺技术应用
●H桥
●变频器
少量现货供应VX13077472547
