关于单片机推大电流MOS时，MOS管DS击穿问题。

最近做了一款低压电源，采用单片机推MOS管，单片输出5V直流PWM信号控MOS。但在空载时，好像容易坏MOS，满载不坏。MOS采用HY1904D，电源输入12或24VDC。