求助,双管反激变压器设计

按照正激变压器设计

太浪费了,MOS的还是BJT的,MOS的双管正激至少300K啊

85~230V AC全电压输入用临界模式双管反激比较好(L6561)

或者带PFC的双管正激、半桥

如果硬要正激也可以,只能按85V的设计,85V整流以后120V,
占空比最大45%,初次级比120*0.45/36=1.5
只好初级15,次级11或12?这样做效率很低的.

全电压范围的话,用双管正激不是太好啊

各位不好意思,是双管反激

都不好,双正、反激都不好;正激:电压范围太宽,反激,变压器太大了、而且反激一半150W以下!这是稳妥做法.既然是双管,何不用半桥!做起来变压器及各方面可以省不少成本!

鄙人觉得方案欠妥.
双管正激是可以做到的.最好前面加PFC,按照正激去设计.但是你的频率有点低,浪费.
双管反激嘛,变压器有点大.
半桥就很简单了.

双管反激,为什么变压器有点大,如果做半桥,有没有好的方案推荐一下

双管反激的变压器只能工作在磁滞回线的第一象限,即磁感应强度是从0变化到Bmax;而半桥的变压器可工作在磁滞回线的第一、三象限,即磁感应强度是从-Bmax变化到Bmax;故从理论上来说,相同的条件下,半桥可提供的功率应该是双管反激的2倍;但考虑到半桥的磁芯损耗即铁损的影响,实际可以提供的功率达不到2倍.
双管反激一般用在输入电压比较高的场合,优势是可以使每个开关管所承受的电压等于初级的母线直流电压.至于功率一般做500W以下,我自己用双管反激做过400W,太大不建议做,因为初级的电感量太小,不太好控制!
以上是我的个人意见,供参考!

谢谢,双管反激它的效率怎么样

效率跟单端反激差不多,具体要看你怎么设计电路与元件的选取了,只是成本比单管反激略高!但比半桥的成本低些!

高频下双管反激效率还是比单管反激高的,管子也不容易坏,因为没有漏感尖峰.
高压下双管反激拓扑可以做500K没问题

变压器的设计与单端反激一样,反射电压不要超过电源最低输入电压,也就是占空比要小于0.5.效率比单端反激要高一些,因为开关管吸改回路损失较小,我的24V、9A电源,效率0.89,输入300V~400VDC.

能不能帮我设计一下这款变压器,初级电感量不知取多少合适,输入380V(PFC电压).1、初级电感量200UH,反射电压120V,效率怎么只有0.80.2、初级电感量330UH,反射电压72V,效率怎么只有0.76.
各位,能不能帮忙设计一下

用半桥做好点

你测出的效率是否含PFC部分?将图呈出看看.我算出差不多,120V反射电压,285UH电感量.但占空比只有0.25.效率与很多因素有关,特别是开关变压器的绕法.

如果是双管反激电路,不用考虑MOSFET管的耐压,建议反射电压选300V,初级电感量947uH,最大占空比0.45.占空比大,效率会高些.

请教各位DX一下,反激的变压器在设计好后,它的初级电感不就定下来了吗,一般说增加电感量或减小电感量,初级电感Lp=Vimin*Dmax/Ip*f是调整Dmax还是改变f做到的?刚学的,有点不明白...

这么高的频率,EMC怎么过

频率高,EMC不好过

兄台,按照你的建议做了一个变压器中,效率最高只有0.84,变压器温度100℃,MOS管60℃.
不知你的24V 9A,0.89的效率是怎么做的,能不能把变压器参数贴出来,参考一下

变压器的温度如果降下至60度,效率也就上来了.请将变压器的截面积给出,我给你算出电感与匝数与变比,一定能解决.

变压器是EC40,Ae是121 mm的平方.请兄台帮忙设计下.

我计算的数据:变压器的Bmax=250mT,初级电感量966uH,最大占空比0.45,初级峰值电流2.6A,初级83匝,次级10匝,3844供电4匝,气隙约1mm.建议采用三明治绕法减小漏感,开关管两只要采用相同批次的管配对.初级线直径大于0.4mm,次级线采用10根0.4并绕.
有结果告知一声.

赞同

renad兄,首先谢谢.昨天已按你给的参数打样,有结果会告之.
另外在书中有提到双管反激应使“钳位电压低于电源输入电压”.这里的“钳位电压”指的是什么电压.

我理解应是所谓反射电压.低于电源输入最低就好,否则开关管截止时能量会回送大部分给电源输入部分.
你研发环境不错,做板的变压器还可以打样,我们只能先自已绕啊,半天才能做一个.

如果照renad兄所说,那么书中在同一段话中有提到“反射电压”,又提“钳位电压”,作者的用意何在.

Vcc可以从主变压器取吗,我的不可以,Vcc没输出.
最后Vcc只能从PFC取.

这方面的书看的少,能否扫描几单与在下看看.