一：pcb布线：
a: 单点接地，把所有hb6803周边元件的地先接到hb6803的第7脚，第8脚，再接到最后一个输出电容的地上。必须这样做，也很容易做到。大电流的电源+和地，都必须先经过电容的+和地才能给负载供电，不可以不经过电容直接对负载供电（等于电容容量下降很多）。
b: 主回路（大电流走线）越短越好，含电源正和地线。一者走线有内阻，大电流会发热。二者走线长，EMC和EMI都不好过关，相当于电路中加入漏感。为了进一步减少交流阻抗，可以把输入的瓷片电容的地，下功率管的地，和输出瓷片电容的地靠很近，（可以放第二面，和下功率管的反面）。非常有效的减少交流阻抗。
二：mosfet的选择：不光是考虑内阻，主要考虑的是mosfet的开关损耗，有几个关键参数特别注意：a: tr上升沿时间。b: toff 下降沿时间。c: Ciss，Ciss越少越好，单管建议不要超过2500pf为好。Ciss太大，会让hb6803发热，同时功率管开通关断损耗加大，降低效率，从而增加发热。暂时小功率的aon7544（30V），aon6504（30V），中功率的aon6512（30V），aon6234（40V），IRFHM8334（30V）不错。Aod4186和aod4184也行，（比aon6234差些），60V的管子在继续选择。我强烈建议在100w以及以下的应用上，选用好的mosfet，不要用散热片，降低成本，减少空间。
三：电感选择：电感封值电流应该是额定负载时，输入最低电压时，（12V的铅酸电池是9V），输入电流的2倍到2.5倍（可以初步假设90%的效率，Iin=P/（Vin*0.9））。从实践上，可以测试电感发热，温度是否比mosfet还高判断。这等于是判断电感是否磁饱和。我在9V输入时，输出3A-4A，用5uH的电感值，输出电流越大，电感量要求越少。如果在最低输入电压，额定输出时，看到sw波形很乱，可以减少电感值。
四：输入电容输出电容。强烈建议输出电容要大点，输出电容要是输入电容的2倍到3倍，输入输出电容都用高频低阻品种，同时输入输出电容再并几颗瓷片电容，瓷片电容的esr比较低，成本也低，空间也少，我自己的经验是不要用大容量的瓷片电容，其高频效果比较差（但是没有理论依据，也许是部分厂家的参数不好）。
五：mosfet的G极串联电阻，一方面电阻大，会影响开关速度，降低效率，电阻少呢，会比较大影响负载调整率，（输出电流大，会降低输出电压），我的经验是下管在1欧到4.7欧。上管是3.3到10欧。上管的snuber的电阻电容网络，有2个作用：a: 降低电感上升过充，下降过充，减少EMC和EMI。b: 会影响负载调整率。可以用示波器观察。
六：FB（第6脚）的参考值是0.95V。设计值是1.0V,实际值有偏差。不过不影响使用。
七：补偿网络，看具体应用，需要快速响应的，就用很少的电容，不需要快速响应的，用大点的电容，我自己经验都不影响稳定（理论上是影响的）。具体在音箱市场，我赞成快速响应。
