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SIC 碳化硅MOS应用于新能源车载充电机(OBC)和DC/DC转换器

由于技术的改进、低碳排放要求和政府的政策激励,电动汽车(EV)是汽车行业一个快速增长的部分。目前,电动汽车行业正在进行一场技术变革,通过充电基础设施提高汽车续航里程。电动汽车制造商和充电服务企业正在大力投资充电站基础设施,以支持长续航能力电动汽车和改善电动汽车司机的充电体验。政府激励措施和汽车制造商在充电基础设施建设方面的举措是推动全球电动汽车充电站市场增长的关键因素。根据仔细的市场研究报告,预计到2027年,市场规模将达到300亿美元左右,2019年复合年增长率为36%。3级直流充电站细分市场占整个电动汽车充电站市场的最大份额,在预测期内亚太地区将占据近50%的市场份额。这一细分市场的很大一部分,主要是由于在便利的城市商业场所建立充电基础设施的需求不断上升。昂贵的商业地产促使投资者和开发商压缩充电器的体积,提高充电能力。这就导致了高密度充电器桩模块的需求不断增加。为了实现高密度设计,功率转换器需要在较高的开关频率和同等或更好的效率下工作。

目前,充电桩模块的最新设计和批量生产几乎所有使用650V Si MOSFET,以获得良好的功率密度和效率。对于功率超过6kW的设计,三相输入成为必要。由于中间母线电压超过650V器件额定要求,三电平拓扑或串连转换器是设计的唯一选择。图1和图2是两种常用的隔离充电器桩拓扑结构。

图1 使用维也纳PFC和三电平移相全桥DC/DC变换器的充电桩

图2 使用维也纳PFC和串连三相LLC DC/DC变换器的充电器桩

 

如果一个充电站有一个本地隔离电力变压器,非隔离变换器拓扑可以使用。图3为非隔离拓扑,已用于欧盟350kW超高速充电站设计。每个充电桩由6个60kW完全基于SiC器件的功率转换器模块组成。

图3 非隔离充电器使用维也纳PFC和串连的Buck DC/DC变换器

 

对于隔离的充电器桩设计,SiC MOSFETs的高电压和高频能力可以大大简化拓扑和控制难度。直接效益是提高功率密度和降低系统成本。通过使用1200V的SiC MOSFETs, PFC的输出电压可以达到600V到900V。下游隔离型直流/直流变换器具有可控的倍压输出和可切换的变压器绕组,可以在理想的直流变压器(DCX)模式下工作,以优化系统效率。由于DCX输出直接连接到电池组,它的输入等效为一个电压源,这使它有可能减少甚至消除PFC输出批量电容器。新电源架构的功能模块如图4所示。

图4 新型AC/DC电源结构,用于电池充电

 

基于此电源架构,图5所示的拓扑结构可用于宽输出电压恒功率电池充电。开关K用于选择变压器匝数比,使倍压器扩大输出电压范围。图6给出了PFC输出电压与电池电压的关系。

图5 高密度电源结构用于电池充电

图6 直流变压器增益开关

以下是三相PFC和DCX样机照片。电路仍在优化中。欢迎任何有兴趣的团体加入这个开发,并把它变成一个真正实用的好产品。

图7 20Kw 三相 PFC AC/DC 变换器样机

图8 20Kw 三相 LLC DC/DC 变换器样机

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2
2021-06-16 16:26

非常好,非常实用的贴子

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2021-06-19 18:21
@米山人家
非常好,非常实用的贴子

谢谢版主

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5
2021-09-08 17:07

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laihbb
LV.4
7
2021-10-14 16:23

mark

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2021-10-26 17:39
@laihbb
mark

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9
2021-10-29 18:34
@用芯去沟通
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dy-SGDrepCw
LV.1
11
2021-11-15 09:06
@用芯去沟通
[图片][图片]

能把这个手册发给我 学习下嘛  谢谢。978432280@qq.com

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2021-12-11 12:06
@dy-SGDrepCw
能把这个手册发给我学习下嘛 谢谢。978432280@qq.com

氮化镓和碳化硅 MOSFET应用建议

(1)所应用系统由于某些原因必须工作于超过200KHz以上的频率,首先碳化硅MOSFET,次选氮化镓晶体管;若工作频率低于200KHz,两者皆可使用;

(2)所应用系统要求轻载至半载效率极高,首先氮化镓晶体管,次选碳化硅MOSFET;

(3)所应用系统工作最高环境温度高,或散热困难,或满载要求效率极高,首选碳化硅MOSFET,次选氮化镓晶体管;

(4)所应用系统噪声干扰较大,特别是门极驱动干扰较大,首选碳化硅MOSFET,次选氮化镓晶体管;

(5)所应用系统需要功率开关由较大的短路能力,首选碳化硅MOSFET;

(6)对于其他无特殊要求的应用系统,此时根据散热方式,功率密度,设计者对两者的熟悉程度等因素来确定选择哪种产品。

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Q597298353Q
LV.5
13
2022-03-04 17:32

碳化硅器件

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2022-04-17 15:35
@用芯去沟通
氮化镓和碳化硅MOSFET应用建议(1)所应用系统由于某些原因必须工作于超过200KHz以上的频率,首先碳化硅MOSFET,次选氮化镓晶体管;若工作频率低于200KHz,两者皆可使用;(2)所应用系统要求轻载至半载效率极高,首先氮化镓晶体管,次选碳化硅MOSFET;(3)所应用系统工作最高环境温度高,或散热困难,或满载要求效率极高,首选碳化硅MOSFET,次选氮化镓晶体管;(4)所应用系统噪声干扰较大,特别是门极驱动干扰较大,首选碳化硅MOSFET,次选氮化镓晶体管;(5)所应用系统需要功率开关由较大的短路能力,首选碳化硅MOSFET;(6)对于其他无特殊要求的应用系统,此时根据散热方式,功率密度,设计者对两者的熟悉程度等因素来确定选择哪种产品。

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mimeshy
LV.1
15
2022-09-05 01:25
@用芯去沟通
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2022-10-06 21:34
@mimeshy
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碳化硅器件(SIC二极管,SIC MOS管,模块),适用于光伏逆变,工业电源,PD大功率快充,医疗设备,军工电源,新能源发电,新能源汽车,轨道交通,感应加热,电池化成,5G通信,智能电网,车载OBC,新能源充电桩等领域。

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2022-12-01 16:01

学习了!

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2023-04-24 10:18

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2023-05-29 08:56

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2023-11-27 13:58
@SIC 碳化硅MOS管及功率模块
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