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LYT6063设计的8.4W高功率因素电源

        LYTSwitch-6 IC采用了innoswitch系列的技术,效率高,待机功耗低,而LYTSwitch-6用来设计LED驱动器能够实现简单的三合一DALI调光。同时IC通过无源单级开关填谷式功率因数校正电路还可以轻松实现高功率因数。  

        电路采用LYT6063设计的,输入电压范围为90Vac – 265Vac,主要设计用于在0 mA至350mA输出电流负载上,可提供24V输出电压,该设计经过优化后,对比于其他同类型方案,可减少组件数量,提高功率因数,降低THD和提高效率。FluxLink技术可安全的桥接隔离栅,并且无需使用光耦合器。

     这个电路为由U1控制的隔离反激式DC-DC电源。 变压器(T1)初级的一侧连接到PFC的正输出端子,而另一侧则连接到U1集成的750 V功率MOSFET。 由于变压器漏感的影响,由D4,R2,R3和C7组成的低成本RCD钳位可限制峰值漏极电压尖峰。

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2022-01-10 20:49

LYTSwitch-6采用了半有源PFC校正方法,PF值大于0.9,普通的电源的PF只有0.6左右。

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2022-01-10 21:13

LYT6063电源效率高,效率最高可高达94%,并且待机功率低至15mW。

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tabing_dt
LV.10
4
2022-01-10 21:23
@眼睛里的海
LYTSwitch-6采用了半有源PFC校正方法,PF值大于0.9,普通的电源的PF只有0.6左右。

相对于传统的PFC校正电路,这种校正方法一可避免两级PFC的效率损。

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tabing_dt
LV.10
5
2022-01-10 21:24

LYTSwitch-6在InSOP-24D封装中集成了初级mos,初级侧控制和次级侧同步整流控制。

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kckcll
LV.9
6
2022-01-11 21:16
@眼睛里的海
LYT6063电源效率高,效率最高可高达94%,并且待机功率低至15mW。

效率高,损耗小,体积可以设计的小,就非常适合体积受限的LED应用中。

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tabing_dt
LV.10
7
2022-01-11 21:23
@kckcll
效率高,损耗小,体积可以设计的小,就非常适合体积受限的LED应用中。

LYTSwitch-6同时支持恒压(CV)和恒流(CC)输出,一种方案支持不同的设计应用。

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2022-01-11 21:25
@tabing_dt
LYTSwitch-6在InSOP-24D封装中集成了初级mos,初级侧控制和次级侧同步整流控制。

运用其Fluxlink技术,对初次侧电路进行精确控制,在整个负载范围内维持高效率。

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xxbw6868
LV.9
9
2022-01-12 19:40
@tabing_dt
相对于传统的PFC校正电路,这种校正方法一可避免两级PFC的效率损。

还可以可避免与单级PFC方案有关的高纹波,PI也 有很多IC集成了单级PFC.

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tabing_dt
LV.10
10
2022-01-12 20:23
@xxbw6868
还可以可避免与单级PFC方案有关的高纹波,PI也有很多IC集成了单级PFC.

如果没有增加PFC电路,反激式电源的功率因数通常在满载条件下约为0.5至0.6。

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2022-01-12 20:29
@tabing_dt
LYTSwitch-6同时支持恒压(CV)和恒流(CC)输出,一种方案支持不同的设计应用。

电压电流的精度也很高,恒压和恒流精度都可达到±3%。

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cmdz002
LV.5
12
2022-01-13 13:44

该设计经过优化后,对比于其他同类型方案,可减少组件数量,提高功率因数,降低THD和提高效率

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2022-01-13 20:50
@眼睛里的海
运用其Fluxlink技术,对初次侧电路进行精确控制,在整个负载范围内维持高效率。

InSOP-24D封装热阻低,设计出来的电源体积比较小,而且这个IC符合安规的宽爬电距离。

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tabing_dt
LV.10
14
2022-01-13 21:00
@大海的儿子
InSOP-24D封装热阻低,设计出来的电源体积比较小,而且这个IC符合安规的宽爬电距离。

这种封装降低了所占板面的空间,无需散热片,大大提高电源的功率密度。

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2022-01-13 21:04
@tabing_dt
如果没有增加PFC电路,反激式电源的功率因数通常在满载条件下约为0.5至0.6。

隔离反激式电源采用次级侧控制,可以获得优异的输出调整率,IC的一致性会好一些。

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fengxbj
LV.8
16
2022-01-19 19:45

这种LED电源的设计,调光效果怎么样?电流精度到多少?

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lkings
LV.6
17
2022-01-22 14:53

功率因数可以做到多高?

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liweicheng
LV.7
18
2022-01-22 14:58

由于变压器漏感的影响,由D4,R2,R3和C7组成的低成本RCD钳位可限制峰值漏极电压尖峰。

变压器漏感有哪些影响?能否改变变压器线包的绕法改进?

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2022-01-22 18:02

怎么感觉PI的反激方案好多呀!全部都是集成的GaN,成本怎么样呀

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2022-01-22 21:25

我擦~第一次见这种方案,学习了

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小燕纸
LV.4
21
2022-01-22 22:39

无源单级开关填谷式功率因数校正电路原理是啥啊

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2022-01-23 21:19

innoswitch系列的技术,效率高,这个效率可以达到多少?

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天晴朗
LV.6
23
2022-01-23 21:50

FluxLink技术可安全的桥接隔离栅,并且无需使用光耦合器

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liweicheng
LV.7
24
2022-01-24 17:09

D4用的是哪种型号的二极管?快速还是慢速?如何选型?

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liunian0711
LV.1
25
2022-01-25 09:04

电源的转化率是多少

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2022-01-27 09:35

 LYTSwitch-6 IC的功率因数高,是不是意味输出纹波电压高?

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2022-02-21 22:08

FluxLink技术可安全的桥接隔离栅,并且无需使用光耦合器

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tabing_dt
LV.10
28
2022-03-05 15:27

为降压转换器选择MOSFET时,首先确保其最大VDS额定值高于具有足够裕量的电源VIN(MAX)。

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tabing_dt
LV.10
29
2022-03-05 15:28
@小燕纸
无源单级开关填谷式功率因数校正电路原理是啥啊

这种所谓的填谷式功率因数校正方法需要用到额外的二极管和电容器,通过改变存储电容各充电和放电阶段的电路效率来提高功率因数

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2022-03-05 18:05
@tabing_dt
这种所谓的填谷式功率因数校正方法需要用到额外的二极管和电容器,通过改变存储电容各充电和放电阶段的电路效率来提高功率因数

这种情况并不是真正的无源(没有LC滤波器),而是有源的,只是因为在一个周期的不同时期二极管的开关工作。

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2022-03-05 18:07
@tabing_dt
为降压转换器选择MOSFET时,首先确保其最大VDS额定值高于具有足够裕量的电源VIN(MAX)。

但是不要选择额定电压过高的FET,选择开关管通常需要在栅极电荷QG和导通电阻RDS(ON)之间进行取舍。

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