采用INN3368C设计的45W快充

InnoSwitch3-Pro设计的快充方案，由于其高度集成，因而整体方案的元件数目很少。

通常情况下，为了达到减小充电器体积的目的，可以提高开关频率缩小变压器的尺寸。

该芯片内部集成了PWM主控芯片、650V功率器件、同步整流控制器等大部分主要功能。

效率高，采用的变频技术可在整个负载范围内始终保持高效率，更高的效率则意味着更低的损耗。

这样工程师在应用过程中只需要搭配一些必要的被动元器件和协议芯片，即可完成高性能快充产品的设计，节约开发成本。

对于小功率30W以内的小功率PD快充而言，可以选用内置MOS芯片，兼顾性能和成本。

而对于45W、65W、100W等中高功率的PD快充而言，PI也有内置氮化镓功率器件的PowiGaN芯片。比如INN3379

不过开关频率的提升通常需要重新设计磁性元件，并且会出现驱动难调、EMI难调、电路布局不好处理等问题。

InnoSwitch3-Pro的I2C接口控制输出电压电流，和芯片的保护功能。可大幅减少元件数。

INN3379集成了750V氮化镓（GaN）开关，这可以降低电流流动期间的传导损耗,输出功率更大。

其中电压阶跃步长为10 mV，电流阶跃步长为50 mA，并且提供其他可动态设定的保护功能。

降低开关损耗，就是提高效率，INN3368采用体积更小的InSOP-24D封装提供更大的输出功率。

其中集成了3.6 V电源，用于为外部微控制器(MCU)供电，可以用MCU实现控制相应的功能。

InnoSwitch3的恒压、恒流及恒功率定特性，可编程特性能够很好的解决这些问题。

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芯片内置SenseFET无损检测电路，相比传统分立器件的原边检测能够降低损耗

三星的S22随机附送的电源，好像就是这个方案

通过次级控制器控制原边的开关可以最大程度的控制同步整流MOS导通时间

电源的输出功率支持的更大，性能出色，待机功耗很小。

PI的该系列芯片可以大厂进行定制型号及功能，使用更加便捷。

INN3368芯片内部集成的氮化镓技术有效提升了产品的应用范围，支持的工况更加复杂，且高效率。

处于VOUT和次级接地引脚之间的外部电阻分压器网络的中点连接至反馈引脚，以调整输出电压

钳位电路均是为了吸收漏感的能量以降低主开关管的电压应力

这个快充设计方案需要搭配快充协议芯片来实现，满足不同终端负载的应用。

由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡

减少等效感抗即减少了相同电流情况下该感抗的储能，也就减少了震荡的幅值

如果尖峰电压过高，就会损坏开关管。同时，振荡的存在也会使输出纹波增大，所以要加吸收电路。

由于线性预测时序控制和因果時序功能有可能无法保证安全运行，应该使用一些保护功能

在任何输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能，将电源损耗大幅降低25%，并且可以设计出无散热片的紧凑型65 W电源，内置650V MOSFET，额定电压达725V。InnoSwitch3器件适合对能耗、外形尺寸或热约束提出严苛要求的电源，特别是那些必须符合强制性总能耗(TEC)标准的电源，现广泛应用于：SB-PD及PPS/QC，适配器，电动工具，家电，IOT，工业控制，电机控制，仪表电表等。

通常与高欧姆电阻串联使用，其中的导通电阻在总串联电阻中只占很小的比例