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支撑电容位置

变频器整流桥后的支撑电容C1一般都是尽量接近IGBT的位置摆放,但是可以放在两个IGBT之间吗?如图所示500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/1074721220407555.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/1074721220407563.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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2008-09-03 13:46
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q2w8e9
LV.4
3
2008-09-04 10:29
@catherinelx
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2008-09-05 10:35
@q2w8e9
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自己顶下!
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2008-09-07 17:33
@chun_spring
自己顶下!
可以啊,不过一般是在前面放大电解,后面放CBB
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2008-09-08 08:53
@shenyf1979
可以啊,不过一般是在前面放大电解,后面放CBB
可以给些较详细的理由吗,有什么理论依据没有?
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2008-09-08 11:42
@chun_spring
可以给些较详细的理由吗,有什么理论依据没有?
没什么原因,主要是考虑电容的感抗,你用的是三相电,可以不放电解,放个几十微法的CBB也可的
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cgebreeze
LV.5
8
2008-09-08 23:26
你所提到的支撑电容如果在电路中的用来滤波和储能,那么选用的概念应该是电解电容或者现在论坛上探讨比较多的大容量的膜电容.
如果是这样,再去看它的位置,应该适当远离IGBT,而不是靠近IGBT.
为什么呢?
IGBT开关的时候会产生尖峰的脉冲对所在电路产生冲击,这个大家都知道,而这个冲击呢又可以分解为高中低三个分量.
高频高压的无感吸收电容用于吸收高频的突波分量,要求dv/dt要大,在很短的时间内能够完成吸收的工作.
中频的分量一般可以在你所提到的IGBT中间加入一个稍微大容量但不需太高频率的电容来做进一步的吸收.当然视情况而定也可不加.
低频的分量基本上已经不是太受影响,这个时候膜电容可以吸收来自后端电路过来的冲击.如果是使用电解因为电解是有极性的需要在它的两端再并上一个无感的电容来做吸收.
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