原创:基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

好文章却没人顶,这个论坛太诡异了

确实好文章

卧槽,真是好文章.卧鼎...

有人看没有回,呵呵,...

难度太高 没人敢开口
我这里有个介绍MOS串联的驱动电阻的选择方式
看起来很直观
但是MOS开通时的上升尖峰不知道有什么影响,是不是会影响全桥的对称 2512151236426975.doc

这篇文章确实通俗易懂

传过一些原作,怎么没有人问这个问题;CCM和DCM相同吗?

个人以为CCM比较接近lz您描述的过程,DCM由于电流是从零开始变化的,对于flyback,开通前的电压也会相应低一些,具体要看谐振到这个时候的电压大小.
由于DCM从零开始,那么这个时候对应的饱和Id也会比较小,

我有个问题想和大家讨论下,就是在弥勒平台的过程中,我们知道Vds是从一个比较高的电压降低的,但过程却并不是理想的线性过程,而是在开始比较短的时间内(比如1/4的弥勒平台的时间)降低到比较低的一个电压,比如,从Vdsmax降低到1/4 Vdsmax,而后再慢慢的降低到接近零的点,这就给我们的switching on损耗计算带来了困难.因为一般的做法是认为弥勒平台区Ig不变,为(Vcc-Vmiller)/(Rg+Rseries+Rext),然后来计算Qgd/Ig来计算弥勒时间.这个时间段里面Coss也在放电,会造成实际的Id比较大一点,实在是一个复杂过程.

adslong你怎么看

adlsong兄，有一点不懂，这个负载最大工作电流是怎么来的？如果假使一个电阻串一个MOSFET，在米勒平台结束时电流怎么可能是最大？