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494半桥电路总烧上下桥管问题,请大家帮分析,

条件:175-264VAC输入,输出为57V/3A,12V/2A  工作频率为25KHZ.磁芯EI40.上下桥开关管为2SC2625 (400V/10A) PWM为TL494
变压器绕制:NP:30T  0.67  NS1:44T 0.51*3 NS2:10T 0.51*2
目前问题是:一,满载在高温箱老化二小时正常.但关机再开机,则二个2625全部击穿,现象为BCE三极全总击穿短路.外部供电电源保险丝烧断.
          二,180VAC供电,(我这电源是工业电源这种外壳的)当时我没加外壳,所以散热不足,只在二桥加了同部小散热器.跑一会,这散热器发热严重.三分钟后,还是上下桥开关管击穿,外交流电源保险丝坏,和第一条效果一样.
     附PDF原理图参考.(我是二路输出的,原理图只能参考,但PWM和半桥高压部分一样,且494供电也为第二路输出供电)
     请各位朋友帮忙解惑.谢谢 1428051221189971.pdf
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xzszrs
LV.11
2
2008-09-12 14:59
匝比不太合适,导至脉宽过小,功率管峰值电流过大,建议次级改为22T+22T,5T+5T
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zhuwuxin
LV.6
3
2008-09-12 15:23
@xzszrs
匝比不太合适,导至脉宽过小,功率管峰值电流过大,建议次级改为22T+22T,5T+5T
我那44T就是分绕成二个22T再全波整流出来的,12亦是如此.并是不二个44T全波整流出来的
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xzszrs
LV.11
4
2008-09-12 15:32
@zhuwuxin
我那44T就是分绕成二个22T再全波整流出来的,12亦是如此.并是不二个44T全波整流出来的
驱动变压器什么参数?
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zhuwuxin
LV.6
5
2008-09-12 15:34
@xzszrs
匝比不太合适,导至脉宽过小,功率管峰值电流过大,建议次级改为22T+22T,5T+5T
不好意思,没说清楚.绕制过程:NP:30T  NS57V:(NS1为22T,NS2为22T)再全波整流输出,NS12V:(NS3为5T,NS4为5T)再全波整流输出 1428051221204839.xls
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zhuwuxin
LV.6
6
2008-09-12 15:39
@xzszrs
驱动变压器什么参数?
EE16  NP1:30T NP2:30T NS1:9T NS2:9T NS3:2T
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xzszrs
LV.11
7
2008-09-12 15:56
@zhuwuxin
EE16  NP1:30TNP2:30TNS1:9TNS2:9TNS3:2T
如果是2K的磁芯NP1:30T 有点少.建议加到45T.其它不变.
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zhuwuxin
LV.6
8
2008-09-12 16:11
@xzszrs
如果是2K的磁芯NP1:30T有点少.建议加到45T.其它不变.
能说说原因吗,我这30T是我以前同事做100W时弄的,所以这次这个驱动变压器我就没改了.
说实在的,这驱动变压器我还真不会算,没算过
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zhuwuxin
LV.6
9
2008-09-12 16:28
@zhuwuxin
能说说原因吗,我这30T是我以前同事做100W时弄的,所以这次这个驱动变压器我就没改了.说实在的,这驱动变压器我还真不会算,没算过
过节回来试试看
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xzszrs
LV.11
10
2008-09-12 16:39
@zhuwuxin
能说说原因吗,我这30T是我以前同事做100W时弄的,所以这次这个驱动变压器我就没改了.说实在的,这驱动变压器我还真不会算,没算过
1.计算驱动功率,选择磁芯
2.计算初级匝数,如果是2K磁芯,B取1000-1200G
3.计算次级匝数,一般初次级匝比取4-6
4.计算电流反馈绕组的匝数:
1):计算满载变压器最大脉冲电流如1A
2):查功率管饱和时IC/IB,如是5
3):计算驱动绕组电流=1/5=0.2A
4):算电流反馈绕组的匝数=次级匝数/(1A/0.2A)
也可以直接得出电流反馈绕组的匝数=次级匝数/(IC/IB)
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release
LV.6
11
2008-09-12 17:56
@xzszrs
1.计算驱动功率,选择磁芯2.计算初级匝数,如果是2K磁芯,B取1000-1200G3.计算次级匝数,一般初次级匝比取4-64.计算电流反馈绕组的匝数:1):计算满载变压器最大脉冲电流如1A2):查功率管饱和时IC/IB,如是53):计算驱动绕组电流=1/5=0.2A4):算电流反馈绕组的匝数=次级匝数/(1A/0.2A)也可以直接得出电流反馈绕组的匝数=次级匝数/(IC/IB)
钟工能不能指点一下,半桥输出电感的计算,如比我要做一个25V20A输出的.
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zhuwuxin
LV.6
12
2008-09-12 18:32
@release
钟工能不能指点一下,半桥输出电感的计算,如比我要做一个25V20A输出的.
我这个是U0*T/I0  感觉还能用  按我这个算是760UH, 不过我的用了550UH
书上有0.3(U0*T/I0) 我开始也按这个算了一个,因我这个是一个互联电感,当初调时感觉不理想.后来就调整到 二路分别为 550UH,55UH 后一个电感到是接近于0.3(U0*T/I0)这公式了
我的是57V/3A, 12V/2A的
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zhuwuxin
LV.6
13
2008-09-12 19:25
@xzszrs
1.计算驱动功率,选择磁芯2.计算初级匝数,如果是2K磁芯,B取1000-1200G3.计算次级匝数,一般初次级匝比取4-64.计算电流反馈绕组的匝数:1):计算满载变压器最大脉冲电流如1A2):查功率管饱和时IC/IB,如是53):计算驱动绕组电流=1/5=0.2A4):算电流反馈绕组的匝数=次级匝数/(1A/0.2A)也可以直接得出电流反馈绕组的匝数=次级匝数/(IC/IB)
2625的B极电流和电压分别为0.8A/1.5V加上路上损耗,二个管子总共3W的驱动不到的样子,EE16应该差不多吧.
NP=Uimin*TON/(AE*B) =88T(D=0.35,F=25KHZ,Uimin=12v,B取1000,AE=19mm^2)
那NS=17T (我不知道你这里NP取45T是因为什么,应该不是因为匝比关系吧)
按算得NP/NP/NS1/NS2=88T/88T/17T/17T(线径分别为0.2  0.3)
满载变压器Irms 估算有1.6A的样子
查功率管饱和时IC/IB=5  I=1.6/5=0.32  线径取0.2
17/5=3.4 取3
不知这样估算如何...
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release
LV.6
14
2008-09-13 11:31
@zhuwuxin
我这个是U0*T/I0  感觉还能用  按我这个算是760UH,不过我的用了550UH书上有0.3(U0*T/I0)我开始也按这个算了一个,因我这个是一个互联电感,当初调时感觉不理想.后来就调整到二路分别为550UH,55UH后一个电感到是接近于0.3(U0*T/I0)这公式了我的是57V/3A,12V/2A的
谢谢!另外请问你这个公式中T代表什么参量,如果我用E型或PQ型磁芯作电感,又如何确定其匝数?
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zhuwuxin
LV.6
15
2008-09-13 20:41
@release
谢谢!另外请问你这个公式中T代表什么参量,如果我用E型或PQ型磁芯作电感,又如何确定其匝数?
T=1/F   也就是那段时间的变化量,因这属正激传送类型,故是整个周期的时间,我想.
做储能电感,我都以电感量为准,有了这个,匝数也就确定了.
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release
LV.6
16
2008-09-14 12:03
@zhuwuxin
T=1/F  也就是那段时间的变化量,因这属正激传送类型,故是整个周期的时间,我想.做储能电感,我都以电感量为准,有了这个,匝数也就确定了.
你是说这类电感都不用开气隙吗?
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zhuwuxin
LV.6
17
2008-09-15 08:54
@release
你是说这类电感都不用开气隙吗?
储能电感,我没弄过开气隙的.
一般都是磁环绕线,至于你说的用E型或PQ型,我没用这这类磁芯做储能电感,所以不敢说.
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zhuwuxin
LV.6
18
2008-09-15 08:59
@xzszrs
1.计算驱动功率,选择磁芯2.计算初级匝数,如果是2K磁芯,B取1000-1200G3.计算次级匝数,一般初次级匝比取4-64.计算电流反馈绕组的匝数:1):计算满载变压器最大脉冲电流如1A2):查功率管饱和时IC/IB,如是53):计算驱动绕组电流=1/5=0.2A4):算电流反馈绕组的匝数=次级匝数/(1A/0.2A)也可以直接得出电流反馈绕组的匝数=次级匝数/(IC/IB)
我上面二种情况
一,高温重载,三极管储存时间比额定储存时间长.
二,低压跑    反馈时间过度加长
这二种情况都会使上下管全通...(电压馈电存的的问题)
不知我的情况会不会是由以上原因引起
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xzszrs
LV.11
19
2008-09-15 15:23
@zhuwuxin
2625的B极电流和电压分别为0.8A/1.5V加上路上损耗,二个管子总共3W的驱动不到的样子,EE16应该差不多吧.NP=Uimin*TON/(AE*B)=88T(D=0.35,F=25KHZ,Uimin=12v,B取1000,AE=19mm^2)那NS=17T(我不知道你这里NP取45T是因为什么,应该不是因为匝比关系吧)按算得NP/NP/NS1/NS2=88T/88T/17T/17T(线径分别为0.2  0.3)满载变压器Irms估算有1.6A的样子查功率管饱和时IC/IB=5  I=1.6/5=0.32  线径取0.217/5=3.4取3不知这样估算如何...
初级实际按9V计算匝数为:
9*100000000/4*25000*1100*0.19=43T
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zhuwuxin
LV.6
20
2008-09-15 19:27
@xzszrs
初级实际按9V计算匝数为:9*100000000/4*25000*1100*0.19=43T
公式一:NP=Vdc*0.4T*10^8/(Ae*dB)=9*0.4*40*10^(-6)*10^8/(1100*0.19)=69T      (25K=40*10^(-6)  )  
即使把他弄成频率也成:NP=Vdc*0.4*10^8/(f*Ae*dB)

而你这公式  

公式二:NP=Vdc*10^8/(0.4*f*Ae*dB)  感觉这公式不怎么对了!!
公式一和公式二感觉不等同 (我不知道怎么理解你的公式)
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zhuwuxin
LV.6
21
2008-09-15 19:41
@xzszrs
初级实际按9V计算匝数为:9*100000000/4*25000*1100*0.19=43T
另外一个问题你为什么认为加大驱动变压器NP对我这种状态能改善?
希望能你帮我说说原因!谢谢
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zhuwuxin
LV.6
22
2008-09-16 16:30
@xzszrs
如果是2K的磁芯NP1:30T有点少.建议加到45T.其它不变.
按你所说,把NP1加到45T,NP2加到45T.
一:175VAC 起不来.像是占空比过大的感觉,变压器啸叫,输出限制.
    (如果我从264慢慢降到175V就没事)
换成30T 30T那个驱动变压器则可起来,输出亦正常.
另发现一个问题.就是波形左右肩膀不等(相差约0.4us)..目前我输出降到175V,左右肩膀其本没了,感觉我的死区时间是否过少.
(这里左右肩膀不等,不能理解)
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xzszrs
LV.11
23
2008-09-17 08:23
@zhuwuxin
按你所说,把NP1加到45T,NP2加到45T.一:175VAC起不来.像是占空比过大的感觉,变压器啸叫,输出限制.    (如果我从264慢慢降到175V就没事)换成30T30T那个驱动变压器则可起来,输出亦正常.另发现一个问题.就是波形左右肩膀不等(相差约0.4us)..目前我输出降到175V,左右肩膀其本没了,感觉我的死区时间是否过少.(这里左右肩膀不等,不能理解)
再增加次级到12T试下,左右肩膀不等是因为左右边的驱动有关的元件参数有偏差.
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zhuwuxin
LV.6
24
2008-09-17 08:44
@xzszrs
再增加次级到12T试下,左右肩膀不等是因为左右边的驱动有关的元件参数有偏差.
增加次级到12T是什么意思...我那变压器是30/(22+22) (5+5)的
我现在变压器弄成42/(32+32) (7+7)
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zhuwuxin
LV.6
25
2008-09-17 08:55
@xzszrs
再增加次级到12T试下,左右肩膀不等是因为左右边的驱动有关的元件参数有偏差.
驱动变压器哦.
如果次级加到12T,那跟我原来的30/9一样了...
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xzszrs
LV.11
26
2008-09-17 09:31
@zhuwuxin
驱动变压器哦.如果次级加到12T,那跟我原来的30/9一样了...
不一样.抗饱和能力强了.
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zhuwuxin
LV.6
27
2008-09-17 10:48
@xzszrs
不一样.抗饱和能力强了.
谢谢,我试试去.
刚用2SC2625加我原先的驱动变压器及主变压器(36/ (32+32) (7+7) )在室温下跑了不到十分钟吧(加外壳) 就二管子没了.
主要现像是:二管子热得很,在室壳下加外壳都有65度左右.
          然后是功率计竟从输入功率240W跑到270W 从260W跑到270W时好快,然后二管子就没了...
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zhuwuxin
LV.6
28
2008-09-17 11:35
@zhuwuxin
谢谢,我试试去.刚用2SC2625加我原先的驱动变压器及主变压器(36/(32+32)(7+7))在室温下跑了不到十分钟吧(加外壳)就二管子没了.主要现像是:二管子热得很,在室壳下加外壳都有65度左右.          然后是功率计竟从输入功率240W跑到270W从260W跑到270W时好快,然后二管子就没了...
刚用了个6A/800V的管子,一加到3A就冲没了...损坏现像同以前的一样.
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lanyuzhao
LV.3
29
2008-09-17 13:07
我觉得可能是温度过高,导致mos的内阻增大,以致发热更高,成一个恶性循坏,所以不停的烧MOS,你在高温箱里温度上升比常温快.第二个现象,散热不足也导致温度过高.
你可以调大MOS的电流参数,或者改善layout加散热片散热.在参数上选取的话,可以增加变压器线圈的直径
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zhuwuxin
LV.6
30
2008-09-17 13:55
@xzszrs
不一样.抗饱和能力强了.
NS加至12T
目前各方面和以前一样.但装上外壳. 在空调房里跑了四五分钟.效果和以前一样,输出功率一直在升,我就不敢再跑了.怕像刚才一样又击穿管子.
上回放高在高温箱里跑二小时的是装了NEC C2749的管子.这管子功率100W 400V/10A
但高温高压开机冲死了.
而目前的2625 是80W  400V/10A 在室温下都不能跑上十分钟...
是否管子功率不足还是其他原因...
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zhuwuxin
LV.6
31
2008-09-17 14:06
@lanyuzhao
我觉得可能是温度过高,导致mos的内阻增大,以致发热更高,成一个恶性循坏,所以不停的烧MOS,你在高温箱里温度上升比常温快.第二个现象,散热不足也导致温度过高.你可以调大MOS的电流参数,或者改善layout加散热片散热.在参数上选取的话,可以增加变压器线圈的直径
我目前的管子是2SC2625  NPN三极管. 80W  400V/10A  .(高温下三极管储存时间长于额定储存时间,造成上下管直通,感觉问题是如何把温度降下来)
PCB是不能改的,变压器线径到是可加大,找大电流的管子.(NEC C2749 能一直跑,就是高温下,高压开机同上情况一样,上下管全击穿. )我去绕个大线径的变压器看看..
C2749  100W  500V/10A  (应该是500V)  
比这个还大的手头上没了了...
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