你这个效率低是你的防止EMI的参数设计不合理.你峰值电流检测的RC参数太小了.这样你的CS波形就不好看.你这个线路是工作在非连续模式.你可以将变压器的自感值加大

我觉得可能是温度过高,导致mos的内阻增大,以致发热更高,成一个恶性循坏,所以不停的烧MOS,你在高温箱里温度上升比常温快.第二个现象,散热不足也导致温度过高.你可以调大MOS的电流参数,或者改善layout加散热片散热.在参数上选取的话,可以增加变压器线圈的直径

我个人认为phaseshiftZVS是通过控制四组mosfet的开关顺序来实现的,主要目的是为了使mosfet在Vds较小的情况下进行切换,我们采取并联schottky管的目的是降低Vds的值,使其更接近零电压,还有另外一个目的是因为bodydiode的反向恢复速度比较慢.好像续流的不是mosfet本身,是mosfet的bodydiode.这只是在下的一点愚见,还请各位多多指教!

这样做做的话元件太难选择了,mosfet要承受这么大的电压,又要要求体积很小,对于pushpull电路,mosfet就已经比较容易损坏了.现在这项研究有成果吗?

好像没有吧,据我所知,现在做的二合一就只有两级转换!

你用的是哪个IC?点多大的负载?

到目前为止,所有的AC/AC变化全部是先由AC转化为DC,再由DC转化为AC的

你现在变压器的参数是多少?

你看一下你得变压器匝比是否合适你可以自己测一下是高了还是低了,然后再做修改.对于inverter还说得话,变压器得设计很重要.你也可以咨询一下相关得变压器厂商.

你的变压器设置不合适,你可以讲变压器的参数再做修改.