BITEK专题

來推一下,如有問題 歡迎討論,本著教學相長,增進自己的學理,當知無不言 言無不盡

兄台,你是bitek的FAE么??

alb5939 兄好文采!

REPOL兄,请多来讨论赐教!!!

高手的分析-----(转贴)

ic-maker:   第4帖  编辑  好帖       2005-05-17 15:10: 九    
  这个问题我也跟踪了几年了,虽然得到了一些零星的资料,在台湾、美国一些判决有的对O2有利,有的说MPS 赢了;综合来说,O2通过专利策略成功的把MPS和BITEK 市场份额前几年减小了不少,但是专利官司毕竟旷日持久,也就是在一段时间(少则3年多则5年)里根本不会有结果,大家就得不到确切的消息,另一方面来看,目前INVERTER IC 实际市场主要份额(我估计) O2高端(30%),MPS高端 20% ,bitek 低端 40%,其他10%,也都不是小厂在用吧;
能说谁赢了,谁输了,谁有理,谁没理;O2 是挑起人,他要达到的目的就是要我们大家搞不清楚,不敢用其他家的芯片;但是近来MPS 好像是做得很不错;BITEK 也出货不少吧,但是基于各个IC厂商而言,似乎达到了平衡,不信你问他们各自的总代理到底是谁赢了? 谁也拿不出有力的证据如判据书、和罚单.
时间久了,还有谁会在乎有专利问题吗?毕竟对INVERTER 厂家来说,成本性能最终决定用哪家.
   专利问题依然会存在于特大厂家HP、DELL、IBM、SAMSUNG上面,那要看谁要搞谁了,但是大厂家根本不会在乎谁告,搞不好来个反诉或者停止其它产品中使用你的产品.
    我们看清楚了,其实各家的都可以用了,这样在设计产品时就灵活得多了,尤其是国内销售的产品,不用管它.即使有人告你,那你产品一定火了,
等到法院判决(如果有)下来的时候,你已经赚大钱了,改行了,也就停止侵权了.(开个玩笑).
    有不同意见欢迎讨论,最好有数据、证据出来,因为我这里信息闭塞一点.

不过BIT的性能不怎么样啊.这个是个难题,所以现在BIT的市场份额最小.

兄台所说的性能不太好是指哪方面?稳定性、误差还是别的??

电路结构决定了3105在同样的条件下,效率要比960低,频率随电压的变化范围比较大,个人感觉误差放大器性能不怎么样.请指教.

是吗?这个问题没有听说过.期待更多的人来讨论.....

效率是見仁見智的,完全看變壓器設計者的功力,順便告訴你一個問題,o2有max duty保護,所以變壓器的圈比一定比bitek的高,何以見得效率會比o2差,會說這話的,應該要從變壓器設計上去下功夫,其實說穿了,不管是那家的ic,其實都差不多,只是差別於補償,保護零件的多寡,其餘的,完全是看邊壓器的功力,我也看過有些RD把o2的效率設計在75%,也有些功力高深的RD,把bitek的效率提昇至90%以上的,所以各位英將重點放在變壓器設計上,而非ic

同意樓上兄台見解,驅動的部分(Ic起作用)只是一種方式,真正的inverter設計其實最難的是在變壓器的部分,因爲不能用具體的計算來確定變壓器的參數,所以就增加了許多的不定因素進去,最痛疼得是模擬電路中隨便差不多的參數都可以動作起來(比如我變壓器砸比10:2000或者12:2000的時候,都可以正常工作,但是這時候的效率卻會差很多),不太好確認什麽時候才是真正的最佳,這時候可能就只有經驗可以幫忙了(-:

说得有道理,但是IC还是有很大作用的,960采用了phase shifted ZVS,电流都是从MOS管流走的,MOSFET上损耗的功率为I^2×Rdson×D×f,Rdson通常为20mohm左右,而3105采用的驱动方式使电流不得不从并联的schottky diode流走,这个时候diode上的压降有0.4V左右,在diode上损耗的功率为I×Vdiode×D×f,D为duty cycle,f为frequency.

此種說法有誤,你以為ZVS是如何做到的,你以為光是靠Phase SHift就可以ZVS,可見你對全橋的架構不甚了解,所謂的ZVS就是利用MOS管的BODY DIODE先導通,使的MOS管的DS電壓降低至DIODE順向電壓,而不是VDD,從而導通MOS管,由於DIODE的順向電壓很低,才稱之為零電壓切換,事實上不是零電壓,事實上O2也是利用BODY DIODE導通來達到ZVS的,PHASE SHIFT只是驅動波型的組合方式不同而已,你可試著將O2的4個驅動波型畫出來,配合全橋的MOS管畫一遍導通的順序,你就會了解了(要切記一點,變壓器的初級測要把他想成是一個電感,電感的電流是不會瞬間改變的,包含大小及方向)

phase shift 可以减小mosfet 在ZVS时的Vds,在mosfet开关的死区时间内vds会有一个body diode压降,大概0.7V左右,这个时候时候实现桥式电路的ZVS,当ZVS完成时候MOSFET的VDS进一步降低,只有I×Rdson的压降.早期的桥式电路使电流从MOSFET的body diode通过,由于body diode的正向压降比较高,使得效率不高,后来发展采用schottky diode 并联,压降为0.4V左右,可以提高一定效率,后来TI发展了 phase shifted 开关技术,利用导通的MOSFET来续流,续流的回路中MOSFET的VDS压降更低.现在的同步整流也就是同样的原理.现在基本上采用3105做的inverter都要并联schottky,这样可以提高效率,降低mosfet的温度.我是做IC的,对电感不怎么了解,希望能向您学习.

为了提高效率就除了采用低Rdson的mosfet外,还有一些办法,其中之一是降低死区时间,也就是减小body diode的导通时间,还有就是采用更好的驱动方法.TI的predictive gate drive技术可以降死区时间减小到几个nano second.
我上面弄错了,功率损耗应该是I^2×Rdson(1-D)×f.

有没有5V输入550V,6MA输出的背光源方案?

好多人都有的,问问高手给你个最便宜的方案!!!
BITEK的完全可以做到

我目前有客户在寻这款,有没有朋友介绍呢?

不好意思 純粹探討,phase shift如何做到zvs,如前帖所述,他只是控制開關的順序,因為在mos管off的瞬間,相對應的mos管的body diode會自然導通,形成零電壓後再導通mos,如只是單純的mos切換,並無法達到零電壓,零電壓其實是有利用到變壓器的電感續流來達到的,有時間我準備一下文件,再來和兄弟您一起探討,因為你熟ic,我熟電源,剛好可以互相學習

縮短dead time也是一種讓body diode導通縮短的方式,但會受限於mos管的turn-on delay及turn-off delay限制,如縮短到數個ns,將會導致上下臂的mos管短路,因此縮短dead time不是一個好方法,應該是縮短mos off的時間,因為只有在mos off時 body diode才會導通,而phase shift確實可以縮短mos off的時間,對於效率是有幫助的

先生請不要打廣告,這裡是純粹技術的探討,打廣告有廣告的專區

恩,其实ZVS只是一种控制方式,phase shifted ZVS的控制方法也和普通的ZVS是一样的,只是处理细节不一样.在有电感存在的power converter当中,PWM控制模式中,如果不往电感中充电的话电感中的电流应该只是电感和电容之间的能量传递能量应该保持不变,但事实上电感电流环路中存在阻抗,比如schottky diode的0.4V的正向压降,mosfet的导通电阻等等,这些都会消耗环路中的能量.降低这个环路损耗掉的能量就可以提高效率了,我认为phase shift 可以做到这一点.

缩短dead time是要先保证上下臂的管子不会导通才行啊,呵呵,几个nano second也是可以做到的,只是对driver的要求会比较高啦.现在的一个inverter可以驱动16灯的inverter,输出功率达到上百瓦,MOSFET中流过的电流会达到10安培以上,这个时候对死区时间控制会较大幅度提高inverter的效率了.

我个人认为phase shift ZVS是通过控制四组mosfet的开关顺序来实现的,主要目的是为了使mosfet在Vds较小的情况下进行切换,我们采取并联schottky管的目的是降低Vds的值,使其更接近零电压,还有另外一个目的是因为body diode 的反向恢复速度比较慢.
好像续流的不是mosfet本身,是mosfet的body diode.
这只是在下的一点愚见,还请各位多多指教!

phase shifted ZVS和3105采用的全桥驱动都是ZVS的,只是phase shifted ZVS多了实现ZVS之外的一点点东西.依靠body diode来续流应该是最早的全桥驱动办法吧.

看了兩位上面的討論,兩位都是在討論工作過程引起的Mos損耗,確實很精彩,但是都沒有去分析如何改善這樣的發熱情況.愚認爲不管是3105還是960,都沒功能腳去真正偵測零點電位,而是靠切換頻率大於諧振頻率來實現自動調整duty,所以真正要降低切換時的損耗,還是要去調整變壓器的參數,一般來講,3105在duty 40%時,能做到切換頻率與諧振頻率相同,那這時候的損耗應該是最小的.但是有一點比較麻煩,就是我的tank沒有辦法直接計算諧振頻率,因爲我燈管的負載沒有辦法完全確定(純負載就好了),所以還是只有慢慢的去改變變壓器參數(累死繞變壓器的助理了),一次次的try,那這時候可以使用示波器去測試波形,以確認是否到達最佳.以上是個人見解,如有不妥,請指正!

请教一哈,switching frequency是IC的振荡频率,应该是固定的啊,而resonant frequency是tank的参数决定的,不管duty 是多大,switching frequency都不会和谐振频率相同啊.ZVS操作要求开关频率略大于谐振频率,tank呈感性,如果两个频率相等了,tank的L&C会共振,电流非常大,对MOSFET&变压器来说都不是好事啊.您说的零点电位是指半桥输出点的电位为零的时候吗?

如都是在零點切換,就會形成變頻的結構了
另外如切換的頻率和諧振點一至的話,效率是最高沒錯,但容易震盪,無法量產,因此一般都會取燈管頻率是諧振頻率的90%

原来是资深高手,不好意思打扰你了!我一直都想整合变压器和IC方面的资源,以求能更好的配合客户,提高我们变压器打样的时效,但是这方面的资讯我欠缺很多,能否多多指点?