请教各位的经验判断,一个项目要定器件了

如果是单管反激的话
600V的开关管可能不能用,耐压可能太低了,

电压足够了.
但是要注意散热,消耗可能会很大.

请JACKI 给出计算式,好吗?
近似计算(考虑电压应力,只取90%):

  如果在160VAC时,取D=0.42

  耐压>(264*1.55+160*1.4*0.42/(1-0.42))/0.9=650

不懂,耐压和占空比啥关系
应该和匝比有关

可是匝比与占空比有关,
对吗?

那占空比的大小并没有限制
也就是说可以根据耐压的大小来决定占空比,不是吗?

你说得也是有道理的
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太危險了
Vdrain=Vmax+(1.4*1.5*Vor)+20
      =260*1.414+(14*1.5*135)+20
      =678V
式中
Vmax 為260Vac經整流后的直流電壓約375V
1.4 = 箝位二極管的實際箝位電壓Vclm/額定箝位電壓Vclo
1.5 = 箝位二極管的實際箝位電壓Vclm/反射電壓Vor
20V是為串聯在箝位齊納二極管在正向恢復時間裏可能引起尖峰電壓而準備的裕量
135V為原邊反射輸出電壓,通用為135V.

800v的呢?
菜菜一个-我
但是我知道Infineo 有800v的 ICE2A280z/ICE2A180z 不知道可以不?

600V够了,次级发射电压Vor定在90V
再决定Dmax.MOSFET导通内阻选小些的.

其实
光看耐压选管还不行,如果用600V的话,D会取得小,可能工作在断续模式,流过开关管,变压器,整流管的峰值电流会比较大,EMI不一定好过,效率也有可能会低一点.还要考虑成本.最好是比较一下.

公式怎麽得出來的?
翻遍幾本電源書籍,都找不到這樣的公式.....

为什么次级反射电压定在90v?
是因为它的最低输入电压是160V?

纯粹是根据MOS的耐压选取
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太低了
起码要800VDC

清說説理由先?
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