急啊!总是损坏IC! 怎么避免同步整流时,一次侧与二次侧同时导通???

如题.

使用IR1166或者IR1167是,在低压输入,重载或者OLP之前,由于已经进入深度CCM,如果二次侧在一次侧MOS导通之前剩余电流太大比如2A,假设同步整流MOS的Rds(on)为14mohm,此时Vds=-28mV,而IR1166关闭MOS的电压电位为-18mV,则在一次侧MOS导通时,二次侧MOS却没有被关闭,导致两边同时导通!!损坏IC!

怎么避免次问题,除了修改变压器,有没有其他更好的方法???

期待大侠们的指点!

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wuzhibird

LV.4

2008-10-19 18:13

快沉下去了,赶快顶一下.
怎么没人提意见呢?很难吗?还是我没有讲明白!
有问题大家讨论嘛,都藏着干什么啊

wuzhibird

LV.4

2008-10-20 09:02

@wuzhibird

快沉下去了,赶快顶一下.怎么没人提意见呢?很难吗?还是我没有讲明白!有问题大家讨论嘛,都藏着干什么啊

期待中、、、、、、

LV.1

2008-10-20 09:11

@wuzhibird

期待中、、、、、、

呵呵,加串一个饱和电感,IR1167从原理上CCM同步整流就是做不到的

洪七公

LV.9

2008-10-20 09:46

ZVS原理的同步整流不能用在CCM模式里面.因为Deadtime 无法控制,在CCM下cross 了,只损害IC算你运气好,还算小问题,更大的问题是连你初级都给你崩掉 .

如果你用CCM,考虑一下我们的方案,用在 DCM,CCM,QR都没问题,可以任意根据你自己的需要灵活设置同步整流启动点(你想空载,轻载,中载,满载启动都行),全程同步整流,做出来的效率绝对比你现有方案高,并且不挑Mosfet,不用并萧特基二极管,你可以任意根据你想达到的效率要求选择Mosfet.需要就TEL:0755-21009980 email:rightwaychina@163.com

下面帖子有简单介绍.
http://bbs.dianyuan.com/topic/175339

wuzhibird

LV.4

2008-10-20 09:58

@洪七公

ZVS原理的同步整流不能用在CCM模式里面.因为Deadtime无法控制,在CCM下cross了,只损害IC算你运气好,还算小问题,更大的问题是连你初级都给你崩掉.如果你用CCM,考虑一下我们的方案,用在DCM,CCM,QR都没问题,可以任意根据你自己的需要灵活设置同步整流启动点(你想空载,轻载,中载,满载启动都行),全程同步整流,做出来的效率绝对比你现有方案高,并且不挑Mosfet,不用并萧特基二极管,你可以任意根据你想达到的效率要求选择Mosfet.需要就TEL:0755-21009980email:rightwaychina@163.com下面帖子有简单介绍.http://bbs.dianyuan.com/topic/175339

但是從其Datasheet上說明是可以用在任意工作糢式的呀!!!
不過從其詳細說明上看,的確也是很勉強的!!

LV.1

2008-10-20 10:00

@wuzhibird

但是從其Datasheet上說明是可以用在任意工作糢式的呀!!!不過從其詳細說明上看,的確也是很勉強的!!

假的,我这个是和IR FAE确实的,我说这个CCM应该搞不了,然后他承认了,说该加个饱和电感

wuzhibird

LV.4

2008-10-20 10:04

@洪七公

ZVS原理的同步整流不能用在CCM模式里面.因为Deadtime无法控制,在CCM下cross了,只损害IC算你运气好,还算小问题,更大的问题是连你初级都给你崩掉.如果你用CCM,考虑一下我们的方案,用在DCM,CCM,QR都没问题,可以任意根据你自己的需要灵活设置同步整流启动点(你想空载,轻载,中载,满载启动都行),全程同步整流,做出来的效率绝对比你现有方案高,并且不挑Mosfet,不用并萧特基二极管,你可以任意根据你想达到的效率要求选择Mosfet.需要就TEL:0755-21009980email:rightwaychina@163.com下面帖子有简单介绍.http://bbs.dianyuan.com/topic/175339

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