Mosfet并联驱动

并4--8只!
1071118266.sch

感谢
MOSFET并联关键是不能同时导通,控制比较困难,请问在这方面你有经验吗,是否可以和你交流.

欢迎交流!
013702383795--俞

交流
用手机交流太奢侈了吧,我的EMAIL:zhangjp@powermaxtech.com

我觉得mosfet的并联不成问题,只要驱动电流够
驱动差的导通电阻大,电流将主要从导通差的mosfet流走,起到自动均横的作用.

个人观点
分场合,比如低电压硬开关场合适宜多并,LC谐振软开关也较适宜多并,高电压硬开关场搞产品最好不并,应用现场情况十分复杂,就算你设计,生产都做的非常优秀,久而久之怕生变,它们的空间分布、驱动、生产都易出毛病,我只二只并过,这里面问题太多,话题也在长了.

赞成观点
MOS 并联越多他的利用率就越低 4个管子大概90% 8个管子大概就75%,而且并联对驱动功率要求高.

如果非要並到4個,怎樣才能提高利用率
?

我的图都贴在上面好久了!
并8只用于6KW的PFC效率.0.97.请大家看看,!!

那就选一致性非常好的MOS
....

也就是Rd(on)比較小的MOSFET,對吧
Rd(on)分佈不很集中會不會有影響?

就是节电容 RON 放大倍数
并联的MOS分布一定要集中 步线也很讲究 特别在高频大电流的时候尽量减小每个管子的导线压降很分布电感

我的看法
诸位我不一一回答了.
里面问题多得去,前2天有一幅帖讲到米勒电容,其实米勒电容充放的危害在并联中是不可不考虑的,1/2C*V*V能量泄放的速度之快,泄放的回路在哪里?并的多电压高能量就大,且不谈电阻误差、分布参数、回路电流初始值等等因素的影响,就MOSFET的开通、关断电压阀值一样吗?不可能理想,同型号不同厂家参数有差异,使用一段时间多少会发生变化,这是不好预测的,说道底并很难解决硬开关应力一至的问题.当然,我只讲了一个问题.
你硬要4只、10只并,也不是不行,利弊的问题,我见过12只并的硬开关桥电源,输出指标不敢恭维,并必然影响指标,指标是电源门槛.总之并麻烦多多,我的原则:已知山有虎,何不绕道行?

前辈:总算找到您的这张图了!...
请问:
1:您的主控电路对3854的典型应用电路做了哪些改进?可否教导一二?
2:图中主整流桥几乎是与小整流桥(CR11)的负端相并联,那么R25(10R)及CR11的负端两桥臂是否会承受很大的功耗?
3:主控板接口的第1及第2脚是做什么用的?
4:图中的“J6”是接到哪里去的?
谢谢!

在每个FET的源极分别串很小的平衡电阻如何?
·

考虑米勒效应
每个mosfet应分别添加栅极电阻和栅极放电电阻

理论上,这样能完全匹配每个FET的特性.然而实际上这是很难操作的:
要准确确定添加的电阻的值困难而且繁琐.再者,电路布局和布线亦影响电阻的取值.
其实,我认为只有在线性应用时才需要考虑米勒效应的差异,如功放电路.开关应用时,如驱动够快,导通的先后稍有差异并不影响工作:马上就都全部导通了.何况,很多时候初始开通电流总是较小,而后逐渐增大的(反激型).当然如驱动不够快,FET损耗以开关损耗为主时就要注意了.
Ron的差异才是主要影响平衡的因素,这可通过串联电阻补偿:但精确补偿将面临上面述及的困难;通过串联比Ron大10倍的电阻又失去意义.较为可行的方法是每个FET单独构成完整的buck拓扑(或其他拓扑),再并联.这样解决了很多问题,就是电路稍为复杂,成本可能稍为增加.

多个管并联用,可以在驱动变压器上做工作!
就是麻烦些,用多个绕组,每个绕组一个管.泻放用三极管,不用MOS,炸管主要是米勒电容的电没放完,偶合到栅极而造成误导通造成的,

支持yny1224兄的方案
加入多绕组驱动及泻放管后虽麻烦些,但可靠性会效高,我正准备用此方案(8只二二并管)试做10kw120khz,dc540v-dc540全桥移相软电源.

祝你成功,!
祝你成功,!新年快乐

新年快乐!
谢谢yny1224兄!新年快乐!

高速IGBT一只即可,(230KHZ)
!!

二极管还是用了30A的,从图上看来好像二极管也并联使用了,
二极管并联使用的效果能行么?

还有irfp460本身就有体二极管,外接的二极管与460的体二极管也是并联的实际工作中到底是那个二极管起作用哦,所有并联的二极管都在工作么?