是的，线露在外面，看不到挡带，不过如果2次侧加了足够的挡带或用双层绝缘线也行（漏感大），要看它结构了，这个不好讲。

共模线圈好怕人，环要喷涂或包一层绝缘沙布，一次侧安规条款卡不了你。但好的认证机构肯定会提建议，从安全可靠的角度要有措施的，这种环磁导率高，5mm电阻几百欧到几十欧，可以用万用表量，用了高温线也不行，量产会炸！更大的问题是：磁路会饱和（两路漏感），挡不住共模信号，个人观点。

      版主我能不能给你一个建议：把LB一分为二，即中点处剪断，变成两个对称的差摸电感，串在两条交流线上，看上去像共模，实为差摸（单个电感量为原1/4），这样PCB也很容易对称，D1、D2、S1、S2工作时要释放大量差摸干扰，问题是这些差、共摸信号会相互转化，两个对称的差摸电感配合前端X1电容形成的网络，它将形成一个很强衰减抑制，如果LB是一个环电感，这两个差摸电感呈在很大的漏感，共模的衰减也很强，个人认为这个电路应该不存在EMC的问题（如果有条件做一下传导对比就会有个说明，辐射和你输入、输出网络、几何结构、壳体有很多关系要区分开了），我没有做过这个PFC电路，只供参考。

很少来看帖了，辛苦哦！最大的感悟上游不做为！

哈哈！有时间去看看热闹！

去看看！

那里的话，共同提高，有时间我会来，只是最近忙些。

是的

你说的是，但不晓得温度变化、运输震动等带来的应力变形对磁参数影响几何。

我不是来拍砖更不是来搅局的，也没有认真考虑，对不对供你参考： 一来现实中电阻是有寄生电感的，这会导致MOS管开通时越过门槛电压的时间变长，增加功耗，也就是说这里使用有源器件是不是要多考虑考虑；二则一旦短路，晶体管可能是饱和到放大来回折腾，最终会稳定在线性放大状态，也就说MOS管的驱动电压会稳在门槛电压上，DS的电压就是电源电压刨去电阻电压，MOS管工作在大电流高电压状态下，我的理解不要用晶体管去拉MOS驱动,应该送到相关电路快速切断MOS驱动，或锁掉或带斯密特回差，我比较认同第二张图。