理想功率半导体MOSFET车规芯片研发及生产基地落户苏州

按照规划，该项目将于今年6月中旬在苏州高新区启动厂房建设，年内竣工后进入设备装调，预计2023年5月启动样品试制，2024正式投产后逐步形成年产240万只半桥生产能力。

作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅（SiC）材料被认为是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景，碳化硅功率器件可使新能源汽车的系统效率更高、重量更轻及结构更加紧密，有助于节省成本以及续航里程的提升。

目前，国内外已有多家车企陆续宣布将采用碳化硅方案。此次理想汽车在碳化硅产业进行提前布局，不仅将扩大未来的竞争优势，还能做到芯片自研自产，从而保证后续车辆的稳定生产。