我想问做开关电源的同志们几个问题!

我来回答吧
1、反激适合于高压小电流的,一般100瓦之内.正激一般在200瓦以内,推挽和半桥一般是200瓦到500瓦之间,全桥一般在300瓦以上及大功率变换器.传输功率的多少,要看变压器励磁曲线的,双向励磁的就多一些.

2、软开关全桥可用于升压,也可用于降压,其实我们平时遇到的属于 ZVS pwm或ZCS pwm,能否实现软开关跟升降压没关系,因为有变压器可以提供一个变比.

3、硬开关的工作频率一般都是100K左右吧,120K也可以,再大的话,开关损耗会比较大,EMI比较难处理.事实上,现在的大功率变换器,已经很少采用硬开关了,大部分都采用了 ZVS或ZCS PWM技术.

4、互感器就相当于一个电流控制的电流源,对于电压控制型的PWM控制器来说,采样电压一般都是接在控制器的输出使能端.
你最后一问,可以看出你从没做过电源.你问的这些问题,都是基础理论,别人给你回答了,对你本人来讲,起不到什么大作用.还是踏踏实实看两年书吧.

你说的确实给我了些帮助,我当然也是刚刚开始,你判断的很准,确实以上的问题都是在看书过程中,没整明白的.

我在刘胜利的现代高频开关电源-书上看到软开关有个占空比丢失的概念,D=2Lr*Io/nEc*Ts
Io输出电流, Ec直流电压,Ts周期
升压电路n<1
假设以下参数大致算一下,Lr=22uH,Io=10A,n=0.5,Ec=100V,f=100KHz
D=88/100
f=10K D=88/1000.....
如果这么计算的话,频率<<100K了

既然刚刚开始,就不要看 刘胜利的书,不适合入门.
他的书,实践性更强些.

那我该如何进行,40KHz的话ucc3895可以运行吗?
楼上的朋友,您有做升压的较大功率的DCDC经验吗?

Ucc3895 最低运行频率是多少?谁能给个意见

40K 用TL494吧 价格便宜量又足

UCC3895用40K是拿战斧导弹打帐篷. 不做到1M对不起这个芯片的.

为楼上补充一点: 低压变换中硬开关应用还很普遍,因为低压MOS的DS电容导致的损耗不大
如给显卡/CPU供电的数百W,电流达到100A以上的的多相同步Buck就是硬开关的

楼上说得,推挽和半桥一般是200瓦到500瓦之间,全桥一般在300瓦以上
我计划是做1KW以上的,
TL494 估计不行吧, 软开关1KW升压可以实现吗?
我想最好先定个方向.免得做了半天发现走错路了

TL494可以做40K移相全桥1000W以上,在外部加相移.
但是如果用IGBT或BJT,就只能用ZCS而不是ZVS,这个你自己考虑怎么做.
如果用MOS,只能用ZVS.而40K拿MOS做, 直接做硬开关全桥不就是了.效率和软开关的没什么区别.频率高了软开关优势才明显.

你是初学者,应该从500K以上的高频机做起,TL494之类的就别做了,留给那些老家伙琢磨去

我仔细想想,你说的Tl494在外部加相移,如何加得.有相应得芯片,还是电路,能给我看看吗?
chnjiaty@sina.com.cn

http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/login.jsp?url=/iel5/7049/19039/00879960.pdf?arnumber=879960

http://scholar.ilib.cn/A-dldzjs200603012.html

别人的论文.考虑考虑.另外,推荐做一块Ti的3895示例板,熟悉波形,理解移相全桥实现ZCS\ZVS的原理再想怎么用TL494做.

http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/login.jsp?url=/iel5/7049/19039/00879960.pdf?arnumber=879960
这篇文章看了,800V-16KV 我还得仔细看看

但是如果用IGBT或BJT,就只能用ZCS而不是ZVS,这个你自己考虑怎么做.

这句话我一直不明白,为什么只能用ZCS而不是ZVS?

The converters with ZCS operation will be more attractive than the converter wit11 ZVS. In addition, the rectifier diodes usually suffer from scvere rcvcrse recovery problems undcr high DC output voltagc situation. Thcrefore, the Operation of the rectifier diodes with ZVS is desired.
你说的那篇论文上也提到这句话,只是没有解释.

我来试着翻译下吧,里面不少错误的单词啊.

这种变换器,采用ZCS比采用ZVS更有吸引力,另外,在高压输出的情况下,整流二极管存在反向恢复的问题,因此期望整流管的ZVS.

因为IGBT或BJT有拖尾电流问题,就是刚关断的时候,会承受高压而漏出一些电流波形尾巴,开关损耗主要在这个尾巴上.所以IGBT或BJT要降低损耗,就要零电流关断.

MOS的开关损耗主要在DS电容上,关断的时候DS电容被充电到高压,开通的时候电容放电损耗.所以MOS要降低损耗就要零电压开通.

推荐用MOS的
除非你做》3000W的,或者对成本特别敏感

您知道为什么 iGBT一般工作在20K
而MOSFET工作频率更高.是跟起开关损耗有关吗?
还要谢谢楼上得翻译,论文中得那段话直接由PDF复制过来得,所以有许多错误.