当下电后电路未完全下电时,很快又进行上电时,即输出电容存有残压时进行上电,很容易芯片损坏,这也是常用电源测试的一项重要指标。
下图偏置电压上电过程的波形,大多数DCDC上电会设置为 F-PWM 模式,此时 DC-DC 允许电感存在负向电流。当芯片在 pre-bias 情况下启机时, 由于其占空比展开缓慢,且此时输出电容上存在初始电压, 下管过长的导通时间必然会导致电感电流反向,并在上管导通时灌回输入电容处。同时Or-ing 电路的存在阻隔了前级电容和输入电容,导致 AVIN 输入电容上会出现较大的电压抬升,甚至可能超过 AVIN pin 的 ABS MAX 电压 100V 而造成芯片被打坏。因此,需要采取一些有效措施改善pre-bias 启机过程中的电压反灌问题。
都有哪些措施抑制电压反灌呢?