PI的不同RCD吸收的探讨，和一个PI的明显错误

大佬看的很细哟

嗯，最近有考虑用PI的芯片。因为宽电压输入的几乎被PI垄断。其他厂家都没有类似产品。

而且，用普通芯片设计宽电压输入的电源又显得复杂而且不够可靠。

所以很关注PI这方面的资料。结果却是这么多BUG。

想来用过的人都会发现这个问题，为何很少人提及？

难道问题中三个不同容量的电容串联可以扛得住高压？跟理论和实际情况都有冲突啊。

3.在3947的图纸中，前级电容分别用了68nF+68nF+68uF的两组电容，根据简单的计算，这样的简单串联，真实的主要电压会全部加在两个68uF的电容上，而耐压只有500V的电容如何抗的住？

你考虑的主要是电容均压的问题吧，通常电容串联的应用会在电容上并电阻达到均压的目的

无外置MOS的芯片也能安全无恙？

图有点小错误很正常，看ADI，TI的芯片手册也是如此，关键是及时修正手册中的错误，哈哈

大哥分析的很到位  
对于PI  我虽然没用过  但口碑目前还可以 

前级都是RCD吸收，同样的输入规格，为何有两种不同的接法？

我刚开始接触PI产品的时候 对PI也有很多看法 …… 但是，但从性能方面来说 无话可说

楼主  你的这些疑问  你是怎么看的呢？ 或者有什么建议吗？

坐等大神们来分析

作为新入行的小白来说  起初是不知道PI是个什么东西的 是被论坛的管理员邀请参加活动  这才了解了一下  

期间有和同事一起讨论他们的产品  各有利弊吧   不过价格确实小公司合作不起

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大佬硬刚原厂贴么

对，可它这个并没有并联电阻。而且，在原理图中也不应该出现这样原理性的错误。

所以才有这个疑问。

对，我也很神奇这一点。

很可能是PI隐藏了一部分零件，只公布了简单的，或者有明显错误的原理图，

至于这种用意是为何，那我就猜不透了，难道PI的技术有意坑自己的老板？

以前见过一个TI芯片的错误，从90年代错到10年代，都停产了都没修复过。

给技术支持咨询的结果是：关于这个问题，通过技术咨询我们可以给您最新的更改数据，但无法更新之前的文件，因为实在太丢脸了。哈哈哈哈

我也有点疑惑为何用不同的方法，但现在看来，各种方法应该是不同工程师的经验和成果。

对我这样的初学者来说是非常有学习意义的资料。

我也满脸疑惑，所以才会来论坛求经问道。嗯，期待高手的答案。

是想硬刚一下。估计是我头破血流。

但也很值得，至少能学到一些东西。

RCD除了吸收输入外，还有副边的反射，应该是不同的输出所以有不同的电路配比。

有时候串并联的分压分流需要仔细计算，要不然会造成没有实现分压的目的。

楼主这个比较细心。可以先用PI的仿真软件验证下，在搭建实物测验吧。设计的

这个看设计的应用吧？PI的主控芯片还是性能出色，集成度比较高。

吸收器件的参数不好确定的，范围比较宽。