利用MOSFET RDS(ON)进行电流检测，可以实现简单且经济高效的电流检测。它使用恒定导通时间谷值模式电流检测架构。上管导通固定的时间，此后底部开关导通，其RDS压降用于检测电流最小值或电流下限。
利用MOSFET RDS(ON)进行电流检测,这种方法虽然价格低廉，但有不少的缺点。首先，其RDS（ON）精度不高，RDS(ON)值可能在很大的范围内变化（大约33%甚至更高）。其温度系数可能也非常大，在100°C以上时甚至会超过80%。另外，必须考虑MOSFET寄生电感。因此这种类型的检测没法用于电流非常高的情况，特别是不适合多相电路，此类电路需要良好的相位均流。
当然利用下管的Rds(on)检测电流也是有优点的：不增加额外器件、易于调试。
