TMR传感器是一种利用隧道磁阻效应的磁敏感元件，通过改变外部磁场能够引起TMR传感器的电阻变化。磁阻效应主要应用于对磁场的检测。
TMR传感器是第四代磁传感器应用技术。TMR 传感器具有精度高、灵敏度高、功耗低、尺寸小、温度稳定性好、工作温度范围宽等优点。
磁阻式元件与 HALL 元件相比，具有体积小，灵敏度高等优点，并且具有更好的磁场稳定性。AMR 元件的灵敏度比 HALL 元件的灵敏度高很多，但是 AMR 元件的工作范围很窄，并且 AMR 元件本身带有巴克豪森噪声，外加磁场很强的时候，AMR 元件会因为磁场强度过强而出现输出反向的问题。GMR 元件的磁场灵敏度比 HALL 元件高出了很多，但是其分辨率和线性度较低，体积比较大，制作工艺相对来说比较复杂，并且 GMR 元件存在层间耦合效应，应用受到了很大限制。TMR 元件的磁场灵敏度是四种元件中最高的，并且工作范围广、分辨率高、功耗低、体积小，可以制成各种高灵敏度的磁传感器。
