半桥应用上2kw应用,想用sic mosfet替换现有的igbt，可以提升效率吗?
如果开关频率不变，只换IGBT，那几乎对效率没影响，反倒成本会增加很多。包括配套的驱动芯片。
只有高频应用时才会显现出碳化硅的优势。
使用SiC MOSFET替换现有的IGBT可以提高半桥应用的效率。
低导通损耗：SiC MOSFET的导通电阻非常低，能够减小开关器件的导通损耗，提高系统效率。
SiC MOSFET使用在2kW的半桥应用上，将会提高应用的效率，减小系统能耗，达到更好的性能和可靠性。不过需要留意SiC MOSFET单价相对于IGBT较高。
SiC MOSFET使用在2kW的电源产品上，将会提高电源稳定性，提升电源的效率。成本上会有增加而已。
感觉成本会变高
目前支持的最大功率等级是多少？
直接替换的话只有一个结果，那就是炸鸡，SIC驱动虽然需要负压，但是需要的负压很小2~3V就可以了，太大了会损坏SIC MOS，所以驱动需要改造
SIC的开发应用看不同需求了，有的开发应用其实没必要使用，成本偏高的。
SIC 的成本比较高，需要结合具体的应用来讨论
学习了
