H6109B是一种内置100V耐压MOS，支持输 入高达85V的高压降压开关控制器，可以向负载 提供2A的连续电流。
H6109B支持输出恒定电压，可以通过调节VFB采样电阻来设置输出电压，同时支持最大电流限制，可以通过修改CS 采样电阻来设置电流最大值。典型开关频率为 125KHz，可以确保良好的输出动态响应。在轻 型负载下，H6109B将进入PWM+PFM模式，以 获得较高的转换效率。
H6109B集成软启动，可大幅度减弱输入打火时产生浪涌对芯片的损坏，同时集成热保护、 输出短路保护、逐周期电流限制，提供可靠的容错操作。
H6109B集成了输入线路电压补偿和 高带宽环路，以满足5%的输出电压精度。 H6109B支持低输出电压应用，低可带到3V。
H6109B采用ESOP-8封装，芯片底部设计有 功率散热焊盘，连接芯片的VIN输入端及内置 MOS漏极，可以有效的帮助芯片加大散热。
产品优势：
内置100V高压MOS
宽压8V-85V输入范围
支持输出电压可调至3-30V
支持输出2A电流负载
转换效率最高可达93%
输出电压精度±5%
带软启动功能(SS)
带过流保护功能(OCP)
带过热保护功能(OTP)
带输出短路保护功能(SCP)
典型应用领域：
汽车充电器、电池充电器、恒压电源、GPS定位器、BMS、电动汽车、电动自行车，电池车手机充电、扭车、卡车、电动汽车变流器、车载仪表
