升压恒压驱动芯片H6392大电流大功率 内置mos可编程软启动 过温保

芯片内置18V/0.2Ω功率MOSFET，它的PWM控制电路可提高电源系统效率，内部补偿网络可以优化外部最多9个组件。芯片内部误差放大器反相输入连接到0.635V参考电压做比较，满足±4%精度的输出电压。芯片内部集成了软启动功能可以降低输入的浪涌电流。芯片可通过EN脚实现低待机关机功能，当EN脚接VIN的时候，系统正常工作，当EN脚位被拉低，系统关机，此时流入芯片内部的电流小于0.1uA，进入低功耗待机模式。H6392采用ESOP-8封装，可为产品应用加强散热装置。